[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效
| 申请号: | 201110042167.0 | 申请日: | 2011-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN102163000A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
| 发明(设计)人: | A·V·帕迪瑞;B·门奇奇科夫;S·A·米德莱布鲁克斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
1.一种光刻设备,所述光刻设备包括:
支撑件,构造用于支撑图案形成装置;
衬底台,构造用于保持衬底;
图案形成系统,配置用于将图案从所述图案形成装置转移到所述衬底的目标部分上,
控制模块,能够操作用于通过从一个或更多的参考衬底周期性地获取用于限定基线控制参数的测量结果来辅助控制所述支撑件、衬底台或图案形成系统中的至少一个,以便确定从所述基线控制参数的参数漂移,由此使得能够许可所述漂移和/或对所述漂移进行校正,所述参考衬底最初已经进行了图案化,以便确定所述基线控制参数;
在所述控制模块和所述另外的光刻设备之间的接口;
其中所述接口的参数表达不同于所述控制模块的控制参数表达。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述接口的参数表达对于多个已知的光刻设备是通用的。
3.根据在前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述接口的参数表达能够操作用于描述包括一个或更多的掩模版状态编码器地图、在dx和dy分量上的平均狭缝描述和所述狭缝的Y位置相关度的场内区域效应。
4.根据在前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述接口的参数表达是通过定义表示由所述光刻设备引入的扭曲的场内区域参考栅格来实现的。
5.根据权利要求4所述的光刻设备,其中所述参考栅格的场内区域参数能够随不同的目标部分而变化,从而导致所述场内区域指纹结构随着不同的目标部分的可能的变化。
6.根据权利要求4或5所述的光刻设备,其中所述接口的参数表达:
指定了在所述衬底上被形成图案的所有目标部分的(每一目标部分的)垂直和水平尺寸以及所述目标部分的中心坐标;
指定(每一目标部分的)曝光方向和曝光速度;和/或
指定(每一目标部分的)所述参考栅格上的场内区域指纹结构。
7.根据权利要求4、5或6所述的光刻设备,所述光刻设备能够操作使得公共的参考栅格用于所有目标部分,所述公共的参考栅格被关联至用于所述光刻设备的所述最大可能的目标部分上的绝对位置。
8.根据权利要求4、5或6所述的光刻设备,所述光刻设备能够操作使得公共的参考栅格用于所有目标部分,所述公共的参考栅格被允许通过使用所述目标部分上的相对坐标系统来与所述目标部分的尺寸成比例地缩放。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述接口的参数表达使得每一参数具有至少多个自由度。
10.根据权利要求5所述的光刻设备,其中所述至少多个自由度包括8或16个自由度。
11.根据权利要求6所述的光刻设备,所述光刻设备能够操作使得所有的晶片平台图案形成侧的栅格参数在适合的情况下通过1维多项式或2维多项式来进行描述;或通过1维傅里叶变换或2维傅里叶变换来进行描述。
12.根据权利要求5-8中任一项所述的光刻设备,所述光刻设备能够操作使得所有的场内区域参数通过1维多项式或1维傅里叶变换进行描述。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述控制模块的控制参数表达通过使用所述光刻设备所需要的尽可能少的自由度来进行定义。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,所述光刻设备能够操作用于执行投影光刻术,进一步包括:
照射系统,配置成调节辐射束;
包含在所述图案形成系统中的投影系统,
其中所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中将图案赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束,所述投影系统被配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的所述目标部分上以实现所述图案化。
15.一种通过使用控制模块来控制光刻设备的扫描/步进功能的方法,所述方法包括以下步骤:
曝光参考衬底,以确定与所述扫描/步进功能相关的基线控制参数;
从所述参考衬底周期性地获取所述基线控制参数;
根据所述基线控制参数确定参数漂移;和
基于所述确定步骤进行校正动作,
其中所述方法通过使用不同于用于所述控制模块和所述光刻设备之间的通信的参数表达的用于所述控制模块的控制的参数表达来执行。
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