[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成牺牲栅极、接着在所述牺牲栅极的每个侧壁上形成侧壁绝缘膜、以及在所述半导体衬底中在所述牺牲栅极的两侧形成源极/漏极区域的步骤；

沿所述侧壁绝缘膜而在半导体衬底上方形成应力施加膜的步骤；

通过移除所述牺牲栅极形成沟槽的步骤；以及

经由栅极绝缘膜而在所述半导体衬底上的所述沟槽内形成栅电极的步骤。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

所述牺牲栅极通过连续在所述半导体衬底上层叠牺牲栅极绝缘膜和牺牲栅极形成膜并对所述牺牲栅极形成膜进行图案化而形成，以及

当移除所述牺牲栅极时，移除形成在所述牺牲栅极的底部的所述牺牲栅极绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

所述方法还包括：

在所述应力施加膜上形成绝缘膜，

抛光所述绝缘膜直至暴露出牺牲栅极，并且在所述抛光处理之后进行形成所述沟槽的处理。

4.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：

在所述半导体衬底上在n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域中均形成牺牲栅极、接着在各个所述牺牲栅极的侧壁上形成侧壁绝缘膜以及在所述半导体衬底中在各个所述牺牲栅极的两侧形成源极/漏极区域的步骤；

沿所述侧壁绝缘膜而在所述半导体衬底上方的所述n型晶体管形成区域中形成第一应力施加膜的步骤；

沿所述侧壁绝缘膜而在所述半导体衬底上方的所述p型晶体管形成区域中形成第二应力施加膜的步骤；

通过移除各个所述牺牲栅极形成沟槽的步骤；以及

经由栅极绝缘膜而在所述半导体衬底上所述沟槽内形成栅电极的步骤。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

所述牺牲栅极通过连续在所述半导体衬底上层叠牺牲栅极绝缘膜和牺牲栅极形成膜并对所述牺牲栅极形成膜进行图案化而形成，以及

当移除所述牺牲栅极时，移除形成在所述牺牲栅极的底部的所述牺牲栅极绝缘膜。

6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

在形成所述栅电极后，在所述n型晶体管或在所述n型晶体管以及p型晶体管上形成第三应力施加膜。

7.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

通过应力施加源形成所述p型晶体管中的所述源极/漏极区域。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其特征在于：

通过在形成用于形成所述半导体衬底的所述源极/漏极区域的区域中形成沟槽后在所述沟槽中外延生长硅锗层而形成所述应力施加源。