[发明专利]半导体衬底隔离的形成方法无效
| 申请号： | 201110041586.2 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102646622A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 隔离 形成 方法 | ||
1.一种半导体衬底隔离的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层；
在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开口，以暴露部分区域的所述半导体衬底；
从所述开口处向所述半导体衬底注入氧离子；
执行退火操作，以使所述部分区域中至少表层所述半导体衬底形成第二氧化物层；
去除所述氮化物层和所述第一氧化物层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括体硅衬底、硅锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上硅锗衬底。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层的方法包括：氧化所述半导体衬底表层，或者，在所述半导体衬底上淀积第一氧化物层。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，注入氧离子时的注入能量为10KeV-150KeV，注入剂量为2E17-2E18个离子/cm2。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以至少两次离子注入操作注入氧离子。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二氧化物层作为隔离区。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述开口的尺寸小于所述隔离区的尺寸。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，执行所述退火操作时的工艺参数包括：退火温度为800℃-1200℃，退火时间为3小时-6小时。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以氢氟酸执行所述去除操作、或者先以热磷酸去除所述氮化物层再以氢氟酸去除所述第一氧化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110041586.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
