[发明专利]温度自适应带隙基准电路

权利要求书

1.温度自适应带隙基准电路，具有带隙基准电压源，所述带隙基准电压源包括输出模块、调整模块和电阻网络，所述电阻网络与输出模块连接，其两条支路分别通过第一寄生管和第二寄生管接地，所述调整模块通过采集所述两条支路的电压调节所述输出模块的输出电压；其特征在于：还包括采样保持电路、电压比较器和控制模块；所述采样保持电路输入端连接所述输出模块的输出电压，其输出端连接电压比较器，将采集的电压输入所述电压比较器进行比较；所述电压比较器输出端连接控制模块；所述控制模块与所述电阻网络连接，根据所述电压比较器输出的比较结果，改变所述电阻网络的阻值，通过调整模块使所述输出模块的输出电压发生变化，从而得到某温度下输出电压最大的电阻网络的阻值，并以该最大电压作为输出模块的输出电压。

2.根据权利要求1所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述电阻网络具有低温度系数。

3.根据权利要求1或2所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述电阻网络包括第四电阻、第三电阻、第二电阻和第一电阻；所述第四电阻一端与输出模块连接并作为输出模块的输出端，其另一端连接第三电阻一端和第二电阻的一端；所述第三电阻另一端与调整模块的一个输入端连接并通过第一寄生管接地，所述第二电阻另一端与调整模块的另一个输入端连接并通过第一电阻和第二寄生管接地。

4.根据权利要求3所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述控制模块通过改变所述第一电阻和第四电阻阻值改变所述电阻网络的阻值。

5.根据权利要求3所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述调整模块为运算放大器，所述输出模块为NMOS场效应晶体管；所述运算放大器输出端接NMOS场效应晶体管栅极，其两个输入端即为调整模块的两个输入端；所述NMOS场效应晶体管源极为所述输出模块的输出端，其漏极连接电源。

6.根据权利要求1所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述输出模块的输出端连接有低通滤波器。

7.根据权利要求6所述的温度自适应带隙基准电路，其特征在于，所述低通滤波器由电阻和电容构成，所述电阻一端连接输出电压，另一端作为低通滤波器的输出端并通过所述电容接地。