[发明专利]监测退火过程温度的方法

权利要求书

1.一种监测退火过程温度的方法，所述方法包括：

通过低温化学气相沉积方式在晶圆上生长第一厚度的未掺杂的多晶硅层；

以第一高温退火的方式高温氧化具有多晶硅层的晶圆；

对高温氧化后的晶圆进行离子植入，并对其进行第二次退火处理；以及

测量所述晶圆的电阻变化，从而获得对第一高温退火过程温度的监测。

2.根据权利要求1所述的监测退火过程温度的方法，其中所述离子植入是植入硼、磷、砷中的任一种。

3.根据权利要求2所述的监测退火过程温度的方法，其中，进一步包括在生长第一厚度的未掺杂的多晶硅层之前，在所述晶圆上形成第二厚度的二氧化硅层，而所述未掺杂的多晶硅层形成在所述二氧化硅层之上。

4.根据权利要求3所述的监测退火过程温度的方法，其中，所述第二厚度为800埃-1000埃。

5.根据权利要求4所述的监测退火过程温度的方法，其中，在所述半导体晶圆上形成的第二厚度的二氧化硅层是通过干氧生长形成的。

6.根据权利要求1-5中任意一个所述的监测退火过程温度的方法，其中，所述第一厚度为2100-2200埃。

7.根据权利要求6所述的监测退火过程温度的方法，其中，以第一高温退火的方式高温氧化具有多晶硅层的晶圆是在第一退火装置中进行的。

8.根据权利要求7所述的监测退火过程温度的方法，其中，在1000℃到1050℃之间以5slm到10slm向所述第一退火装置中注入O₂，以及以20slm向所述第一退火装置注入N₂。

9.根据权利要求8所述的监测退火过程温度的方法，其中，所述离子植入是以约4-6Kev的植入能量植入约2×10¹⁵离子/平方米到3×10¹⁵离子/平方米的离子。

10.根据权利要求9所述的监测退火过程温度的方法，其中，所述晶圆偏转角度约为7度。