[发明专利]一种光催化合成3,4-二甲基-3,4-己二醇的方法

权利要求书

1.一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于包括如下步骤：

按100-500mL反应液：1g催化剂，将纳米半导体加入仲丁醇-水反应液中，其中仲丁醇-水反应液为仲丁醇体积含量在10-40％或60-100％，同时按负载量为0.1-5wt％加入贵金属源溶液，磁力搅拌下抽真空或通入氮气，除去体系中的氧气后，停止抽真空或通入氮气，开起功率在10-2000W紫外灯或可见光源，通过原位光催化将贵金属源还原成贵金属颗粒负载到半导体表面，进行光催化仲丁醇氧化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的反应，反应温度在1-90℃之间，反应时间在10-360h之间，反应结束后，通过离心沉淀、真空抽滤或静止沉淀的方法分离出催化剂，再进行蒸馏或减压蒸馏分离出仲丁醇和水，得到产物3，4-二甲基-3，4-己二醇。

2.如权利要求1所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的纳米半导体为含氧类纳米半导体、含硫类纳米半导体或含氮类纳米半导体。

3.如权利要求2所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的含氧类纳米半导体是Ti、Zr、Fe、Zn、Sr、La、W、V、Cu、Ce、In、Ta或Nb的含氧化合物。

4.如权利要求2所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的含硫类纳米半导体是Cd、Zn、W或Bi的含硫化合物。

5.如权利要求2所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的含氮类纳米半导体是Ti、Ga、Ge或Ta的含氮化合物。

6.如权利要求1所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的纳米半导体为纳米颗粒、纳米管或纳米棒。

7.如权利要求1所述的一种光催化合成3，4-二甲基-3，4-己二醇的方法，其特征在于所述的贵金属源为氯铂酸、氯金酸、氯化钯、氯化钌、氯化铑或硝酸银。