[发明专利]高集成度晶圆扇出封装方法有效
| 申请号： | 201110032591.7 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157400A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;朱海青 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成度 晶圆扇出 封装 方法 | ||
1.高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，包括步骤：
在载板上形成胶合层；
将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；
将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；
去除所述载板和胶合层。
2.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。
3.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述无源器件包括电容、电阻和电感。
4.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述封料层的材料为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
6.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述胶合层为UV胶。
7.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述凹槽有多条，每一条凹槽围绕所述封装单元而封闭。
8.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：每一条凹槽所围成的形状包括正方形、长方形或圆形。
9.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：每一条凹槽之间保持相同距离。
10.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述凹槽成矩阵排列。
11.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述凹槽的横截面包括U型、V型或凹型。
12.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，所述去除所述载板和胶合层的步骤具体包括：
去除所述胶合层；
将载板与芯片和无源器件的功能面进行分离；
清洗所述芯片和无源器件的功能面。
13.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述芯片包括多个不同的芯片。
14.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于：所述载板为玻璃载板。
15.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，还包括步骤：
在芯片和无源器件裸露的功能面形成金属再布线层；
在金属再布线层上形成保护膜层；
在保护膜层上形成暴露金属再布线层的开口；
在所述开口内形成与所述金属再布线层连接的球下金属层；
在球下金属层上形成金属焊球。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司，未经南通富士通微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110032591.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
