[发明专利]光刻工艺中自动批量建立层间误差测量程式的方法有效
| 申请号: | 201110032430.8 | 申请日: | 2011-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN102109772A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 岳力挽;陆向宇;陈骆 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 工艺 自动 批量 建立 误差 测量 程式 方法 | ||
1.一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法,其特征是包括步骤:
1)制作光刻信息文档;
2)把光刻信息转换成程式参数文件;
3)建立通用的量测程式的模板,包括
3.1)对产品设计通用的基准图案;
先在光掩模板设计图中固定位置画一个基准图案,作为量测机台对准识别用的标记;再把所述基准图案及其在曝光域的坐标导入量测机台的数据库中;
3.2)对产品量测设定通用的环境参数;
4)把所述程式参数导入量测机台的数据库,在数据库中,根据所述量测程式的模板和程式参数生成各个产品对应的量测程式,最终导入量测机台对相应产品进行量测;
根据上述生成的文件和模板,量测机台自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。
2.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法,其特征是所述步骤1)中,信息文档包括:产品的光刻信息;曝光区域尺寸、切割道尺寸,以及量测标记在曝光域中的坐标等晶圆布局参数。
3.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法,其特征是所述步骤2)中,把光刻信息转换成程式参数文件是利用计算机程序进行转换,具体方法是,把光刻信息文档中的相关参数通过计算机程序先转换成程序变量,然后由程序将这些变量写成量测机台可以识别的程式参数文件。
4.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法,其特征是所述步骤3)中,对产品量测设定通用的环境参数,包括是否开启光路偏差矫正功能、是否使用手动辅助量测功能,和是否打开自动截图功能。
5.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法,其特征是所述步骤4)中,所述数据库由四部分组成:
1)晶圆布局参数;2)量测标记坐标设定;3)基准图案辨识设定;4)设定环境参数设定。
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