[发明专利]一种非易失性存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：

由漏极、源极、栅极和衬底构成的晶体管；

所述晶体管包括：

第一重掺杂区、第二重掺杂区、多晶硅层、衬底、非对称轻掺杂区、第一侧墙、第二侧墙和氧化硅层；其中，

所述氧化硅层位于所述衬底上；

所述多晶硅层、所述第一侧墙、所述第二侧墙均位于所述氧化硅层上；

所述第一侧墙、所述第二侧墙分别位于所述多晶硅层的两侧；

所述非对称轻掺杂区邻接于所述第二重掺杂区和所述氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，

所述第一侧墙，用于存储电荷。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，

所述氧化硅层的厚度等于标准半导体逻辑工艺下的厚栅氧晶体管的氧化硅层的厚度。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，

所述晶体管为NMOS晶体管。

5.一种根据权利要求1所述的非易失性存储单元制造的非易失性存储器。

6.一种非易失性存储单元的版图，其特征在于，包括：

有源区层、多晶硅层、漏源注入区层和辅助层，其中，

所述辅助层用于覆盖位于所述多晶硅层两侧中的一侧的所述有源区层。

7.根据权利要求6所述的版图，其特征在于，

所述辅助层的尺寸和形状能够根据预定设计规则进行设定。

8.一种根据权利要求6所述的版图生成的掩膜版图形，其特征在于，包括：

有源区层、多晶硅层、漏源注入区层和非对称轻掺杂注入层，其中，

根据预定逻辑运算公式对所述版图中的漏源注入区层和辅助层进行逻辑运算，使在所述辅助层覆盖的所述有源区层中不进行轻掺杂注入，从而获得所述非对称轻掺杂注入层。

9.根据权利要求8所述的掩膜版图形，其特征在于，

所述预定逻辑运算公式为：

S_M5＝S_L3-S_L4-S_X5

其中，S_M5表示所述掩膜版图形中的轻掺杂注入层的面积，

S_L3表示所述版图中的漏源注入区层的面积，

S_L4表示所述版图中的辅助层的面积，

S_X5表示预先设定的从版图转换到掩模版图形时轻掺杂注入层的面积修正值。

10.一种根据权利要求8所述的掩膜版图形的非易失性存储单元的制造方法。