[发明专利]光刻胶层的形成方法无效
| 申请号： | 201110025603.3 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102610498A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 唐蓉;钱志浩 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
在晶圆上涂覆光刻胶层；
对光刻胶层进行软烘烤，优化软烘烤温度和时间；
对光刻胶层进行固胶处理，优化固胶温度和时间，使软烘烤及固胶后光刻胶层的缩胶量最小。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述优化后的烘烤温度为118℃～122℃，烘烤时间为85s～95s。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述优化后的烘烤温度为120℃，烘烤时间为90s。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固胶分为第一阶段和第二阶段，优化固胶第二阶段的温度和时间。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述优化后固胶第二阶段的温度是135℃～145℃，烘烤时间为65s～75s。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述优化后固胶第二阶段的温度是140℃，烘烤时间为70s。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述固胶第一阶段的温度是100℃～110℃，烘烤时间为25s～35s。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述固胶第一阶段的温度是105℃，烘烤时间为30s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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