[发明专利]光阻材料及图案化集成电路构件的方法

权利要求书

1.一种光阻材料，包括：

一聚合物；

一光酸产生剂，用以产生与该聚合物反应的酸；

一抑制碱；

一发色团；

一溶剂；以及

一发光剂，该发光剂将一第一波长电磁波转换成一第二波长电磁波，该第二波长电磁波可使该光酸产生剂产生酸。

2.权利要求1所述的光阻材料，其中该发光剂包括一芳香环化学物、一离子盐类以及一金属合金中的至少之一。

3.权利要求2所述的光阻材料，其中该芳香环化学物以下列化学式表示：

其中L是一连接基，R是选自于由烷基、烯基、炔基、芳香环基、环氧基、氯基、溴基、碘基、二氧化氮基、三氧化硫基、氢基、氰基、异氰酸基、氰酸基、二氧化碳基、氢氧基、OR’基、OC(O)CR’基、SR基、SO₂N(R’)₂基、SO₂R’基、SOR’基、OC(O)R’基、C(O)OR’基、C(O)R’基、Si(OR’)₃基以及Si(R’)₃基所组成的一群组。

4.权利要求3所述的光阻材料，其中该连接基是选自于由-CO-、-C(＝O)O-、-S-、-P-、-P(O₂)-、-C(＝O)S-、-O-、-N-、-C(＝O)N-、-SO₂O-、-SO₂S-、-SO-、-SO₂-以及R*所组成的一群组。

5.权利要求4所述的光阻材料，其中该连接基是R*，且R*是选自于由烷基、烯基、炔基、芳香环基、环氧基、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH，-OR’、-OC(O)CR’、-SR、-SO₂N(R’)₂、-SO₂R’、SOR’、-OC(O)R’、-C(O)OR’、-C(O)R’、-Si(OR’)₃以及-Si(R’)₃所组成的一群组。

6.权利要求3所述的光阻材料，其中R是选自于由-OR’、-OC(O)CR’、-SR、-SO₂N(R’)₂、-SO₂R’、-SOR’、-OC(O)R’、-C(O)OR’、-C(O)R’、-Si(OR’)₃以及-Si(R’)₃所组成的一群组，而R’是选自于由氢基、烷基、烯基以及炔基所组成的一群组。

7.权利要求1所述的光阻材料，其中该发光剂的负载量是该聚合物的重量的0.001％到10％。

8.一种图案化集成电路的构件的方法，包括：

提供一基板；

于该基板上形成一第一材料层；

于该第一材料层上形成一第二材料层，其中该第二材料层包含一发光剂；以及

将该第二材料层的一或复数个部分曝光于一第一波长的一辐射，使得该发光剂吸收该第一波长的该辐射的至少一部分，并且发射出一第二辐射，该第二辐射的波长不同于该辐射的该第一波长。

9.权利要求8所述的方法，其中形成该第二材料层的步骤包含从一芳香环化学物、一离子盐类或一金属合金的至少之一中选择该发光剂。

10.权利要求8所述的方法，还包括：

在该第二材料层上进行一曝光后烘烤制程；以及

显影该第二材料层，以在该第二材料层中形成一图案。