[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板；

至少两个导电垫，形成于该基板上，其中一个导电垫形成于另一个之上，且一重分布层延伸至其中至少一个导电垫；及

一凸块结构，形成于所述多个导电垫之上，并且与所述多个导电垫电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一介电层，延伸进入该至少两个导电垫的一第一导电垫与一第二导电垫的间隙。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该凸块结构包括：

一金属柱，形成于所述多个导电垫之上；

一金属膜，形成于该金属柱之上；及

一盖层，形成于该金属膜之上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该至少两个导电垫包括一第一导电垫及一第二导电垫，而该第二导电垫形成于该第一导电垫之上，并且该第一导电垫与该第二导电垫其中之一具有该重分布层。

5.一种半导体装置，包括：

一基板；

三个导电垫，以一导电垫形成于另一导电垫之上的形式形成于该基板上，其中一重分布层延伸至该至少一个导电垫；及

一凸块结构，形成于所述多个导电垫之上，并与所述多个导电垫电性连接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该重分布层延伸至一中间导电垫。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中一中间导电垫包括铜，一顶部导电垫包括铜，而一最下方导电垫包括一铝铜合金。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一第一导电垫在一基板之上；

形成一第二导电垫在该第一导电垫之上；

当形成该第一导电垫或第二导电垫时，形成一重分布层做为该第一导电垫或第二导电垫的一延伸部分；及

形成一凸块结构在该第二导电垫之上。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该重分布层在形成该第一导电垫时形成，并且还包括另一重分布层在形成该第二导电垫时形成。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在该凸块结构形成前，在该第二导电垫之上形成一第三导电垫，其中该重分布层在形成该第二导电垫时形成。