[发明专利]一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构无效
| 申请号： | 201110020959.8 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610633A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/02;B32B9/04;B32B17/00;B32B15/00 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 多晶 薄膜 多层 膜结构 | ||
1.一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：
绝缘衬底；
位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；
位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；
位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，
其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。
2.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的间距在10μm～50μm之间。
3.根据权利要求2所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的间距为20～40μm。
4.根据权利要求3所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的间距为30μm。
5.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的宽度在1μm～5μm之间。
6.根据权利要求5所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的宽度为1.5μm。
7.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述凹槽的长度与所述绝缘衬底的宽度相等。
8.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述绝缘衬底包括玻璃或石英。
9.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述阻挡层由氧化硅材料制成。
10.根据权利要求1所述的用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，其特征在于，所述金属诱导层采用金属Ni，Au，Cu，Al，Pd，Co或Ag。
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