[发明专利]半导体装置的制造方法及石墨烯的生长方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在基板上方形成催化剂膜的工序，

在所述催化剂膜上生长石墨烯的工序，

形成露出所述催化剂膜的下表面的间隙的工序，以及

介由所述间隙，除去所述催化剂膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述催化剂膜的工序之前，具有在所述基板上方形成基座的工序，

在所述基座上形成所述催化剂膜，

形成所述间隙的工序具有除去所述基座的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，作为所述基座，形成不作为石墨烯的催化剂发挥功能的基座。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述间隙的工序是对所述基板的表面进行蚀刻，形成延伸至所述催化剂膜的下方的凹部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在除去所述催化剂膜的工序之前，具有形成覆盖所述石墨烯的端部的2个电极的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在除去所述催化剂膜的工序之后，具有以下工序：

形成栅极绝缘膜的工序，所述栅极绝缘膜在所述2个电极间覆盖所述石墨烯，以及

形成栅极电极的工序，在所述栅极电极与所述石墨烯之间夹持绝缘膜。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板具有在形成所述催化剂膜的一侧的表面上形成的绝缘膜。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在基板上方形成催化剂膜的工序，

形成露出所述催化剂膜的上表面的保护膜的工序，以及

在所述催化剂膜的上表面上生长石墨烯的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述保护膜覆盖所述催化剂膜的侧面的至少一部分。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在生长所述石墨烯的工序之后，具有除去所述保护膜的工序。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述保护膜的工序具有以下工序：

在所述基板上方形成覆盖所述催化剂膜的所述保护膜的原料膜的工序，以及

研磨所述原料膜直至所述催化剂膜的上表面露出的工序。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述保护膜的工序具有以下工序：

形成覆盖所述催化剂膜的上表面的牺牲膜的工序，

将覆盖所述催化剂膜的侧面的至少一部分、露出所述牺牲膜的侧面的至少一部分的所述保护膜的原料膜形成在所述基板上方的工序，以及

除去所述牺牲膜而露出所述催化剂膜的上表面的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在露出所述催化剂膜的上表面的工序中，在所述牺牲膜上存在所述原料膜的一部分的情况下，将所述一部分与所述牺牲膜一起除去。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述保护膜的工序具有以下工序：

形成覆盖所述催化剂膜的上表面的牺牲膜的工序，

对所述催化剂膜的侧面进行蚀刻，使所述催化剂膜的侧面后退至所述牺牲膜的侧面的内侧的工序，

在所述牺牲膜的下方，将覆盖所述催化剂膜的侧面的至少一部分、露出所述牺牲膜的侧面的至少一部分的所述保护膜的原料膜形成在所述基板上方的工序，以及

除去所述牺牲膜，露出所述催化剂膜的上表面的工序。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在露出所述催化剂膜的上表面的工序中，在所述牺牲膜上存在所述原料膜的一部分的情况下，将所述一部分与所述牺牲膜一起除去。

16.权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在除去所述催化剂膜的工序之前，具有形成覆盖所述石墨烯的端部的2个电极的工序。