[发明专利]锁存器电路、触发器电路以及分频器有效
| 申请号: | 201080068259.X | 申请日: | 2010-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN103026623A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 萨韦里奥·特罗塔 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号: | H03K3/00 | 分类号: | H03K3/00;H03K21/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 锁存器 电路 触发器 以及 分频器 | ||
技术领域
本发明涉及锁存器电路、触发器电路以及分频器。
背景技术
分频器在现代电子技术中得到了广泛应用。它们通常用于例如信号传送器或接收器,但是也可以在诸如例如微控制器或微芯片的时钟驱动电子器件的背景下得到应用。
经常使用以提供期望的频率划分的方式布置的锁存器电路来构造分频器。特别地,锁存器电路可被组合为触发器,所述触发器可在分频器和其它器件中被使用。在很多情况下,晶体管被用作触发器器件的组件。触发器电路和分频器通常具有操作的优选频率范围并且特别是给定的共振频率或取决于电子组件的特性的自身振荡频率。这些频率可能示出由于外部或内部问题而产生的随时间的漂移行为。
在WO2009/115865A1中,描述了一种用于分频器的锁存器模块,其中电流注入器提供晶体管的感测对和晶体管的再生对的非对称操作以改变分频器的自身振荡频率。
发明内容
本发明提供了如所附独立权利要求中描述的锁存器电路、触发器电路以及分频器。
本发明的具体实施例在所附权利要求中被阐述。
本发明的这些或其它方面根据在下文中描述的实施例将显而易见并且参考在下文中描述的实施例被阐明。
附图说明
将参考附图仅仅通过举例的方式来描述本发明的进一步细节、方面和实施例。在附图中,相同的附图标记被用于表示相同的或功能相似的元素。为了简便以及清晰而图示了附图中的元素,并且附图中的元素不一定按比例绘制。
图1示意性地示出锁存器电路的例子。
图2示意性地示出在理想条件下的锁存器电路的行为。
图3示意性地示出经受温度漂移的锁存器电路的行为。
图4示意性地示出经受带有附加的感测电流的温度漂移的锁存器电路的行为。
图5示意性地示出在感测和存储时段当采用温控调谐电流时电流的时间行为。
图6示出了当使用与温度有关的调谐电压时包括锁存器电路的分频器的自身振荡频率如何改变的测量结果。
图7示意性地示出利用了两个锁存器的基于触发器的分频器。
具体实施方式
由于本发明说明的实施例可能大部分是使用本领域技术人员已知的电子组件和电路实现的,所以将不会在比上述所说明的认为有必要的程度大的任何程度上解释细节,以便于对本发明基本概念的理解以及认识并且为了不混淆或偏离本发明的教导。在说明书的上下文中,可假定能够接通和断开电流的任何器件可能还能够控制被转变的电流的强度。可以基于控制电流或控制电压来执行电流强度控制和/或转变,例如在晶体管的背景下。可以连续地执行电流的控制。如在下面所描述的锁存器电路可与类似锁存器电路或其它锁存器电路组合以形成例如触发器电路,特别是分频器的触发器电路。
图1示意性地示出了锁存器电路10。锁存器电路10可以包括感测布置12和存储布置14。
感测布置12可以包括感测部分,该感测部分可以包括一个或多个感测晶体管,所述一个或多个感测晶体管适于感测输入信号并且适于基于感测到的输入信号来提供第一信号。正如在图1中所示出的,感测部分可以包括感测晶体管T1和T2,所述感测晶体管T1和T2可以被视为锁存器电路10的晶体管的输入差分对。可以是差分信号的输入信号可以具有分量D和Dn。时钟电路10可以具有对应的端子以接收输入信号和其分量。可认为感测布置12包括感测布置开关器件16。所述感测布置开关器件16可以被连接或可连接到第一电流源18。感测布置开关器件16可适于基于第一时钟信号CLK来接通或断开感测布置12的电流。特别是,开关器件16可适于接通或断开源自第一电流源、流到感测部分和感测晶体管的电流。可以基于输入信号在感测部分处接转感测部分的电流,所述输入信号可以向感测部分或感测部分的组件提供控制电压和控制电流。可以在感测布置开关器件16与感测部分和感测晶体管T1、T2之间提供使得电流Ir能够流动的电气连接。可由第一电流源18至少部分地提供电流Ir。可认为感测部分和感测布置开关器件16构成感测布置12的单独的部分,感测布置开关器件16被连接到感测部分以转变和控制相应地到感测部分的电流的流动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080068259.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





