[发明专利]TFT阵列检查的电子束扫描方法以及TFT阵列检查装置

说明书

技术领域

本发明涉及在液晶基板等的制造过程等中进行的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(array)检查，尤其涉及在TFT阵列检查中进行的电子束扫描。

背景技术

对于液晶基板或有机电致发光(Electroluminescence，EL)基板等形成有TFT阵列的半导体基板的制造过程而言，在制造过程中包含TFT阵列检查步骤，在该TFT阵列检查步骤中，对TFT阵列进行缺陷检查。

TFT阵列例如被用作液晶显示装置的选择像素电极的开关元件。具备TFT阵列的基板，例如平行地配设有作为扫描线发挥功能的多根栅极线(gate line)，并且与栅极线正交地配设有记载为信号线的多根源极线(source line)，在两线相交叉的部分的附近配设有TFT(Thin film transistor)，像素电极连接于该TFT。

液晶显示装置是通过在设有上述TFT阵列的基板与对向基板之间包夹液晶层而构成，在对向基板所具备的对向电极与像素电极之间形成有像素电容。在像素电极上，除了上述像素电容以外，还连接着附加电容(Cs)。该附加电容(Cs)的一端连接于像素电极，另一端连接于共用线或栅极线。连接于共用线的结构的TFT阵列被称为Cs on Com型TFT阵列，连接于栅极线的结构的TFT阵列被称为Cs on Gate型TFT阵列。

对于TFT阵列，在其制造过程(process)中有可能产生各种缺陷，因而须进行缺陷检查，例如检查扫描线(栅极线)或信号线(源极线)的断线、扫描线(栅极线)与信号线(源极线)的短路、因驱动像素的TFT的特性不良造成的像素缺陷等。

在缺陷检查中，例如，对作为检查对象的基板的TFT阵列施加检查信号以使阵列成为规定电位状态，并对基板上二维照射电子束或离子束(ion beam)等的带电束来进行扫描，利用该射束扫描，通过光电倍增器(photomultiplier)等将二次电子等转换为模拟(analog)信号以进行检测，并基于该检测信号的信号强度来判定阵列缺陷。

TFT基板的阵列与像素(pixel)是对应地形成，通过对阵列施加驱动信号，能够驱动特定的像素。在TFT阵列检查中，一般是对阵列施加规定图案(pattern)的驱动信号，从而以规定图案来驱动形成在基板内的面板(panel)的各像素，对这些像素照射电子束，并检测从照射点释放的二次电子。通过在面板内以扫描的方式进行该电子束照射，从而从面板内的各像素获取检测信号。

在针对像素的带电束的扫描中，以往是对各像素照射例如4×4点或者4×3点的带电束并将照射点作为取样(sampling)点，从而对一像素检测多个取样点的检测信号，并使用该检测信号来算出信号强度，所述信号强度用于检测与像素对应的阵列的缺陷。

照射至各像素的电子束的照射点数取决于像素尺寸(size)等，但在以往的电子束照射中，每一像素的电子束最低为4点。

图6(a)表示将每一像素的电子束的照射点数设为4点的例子。当设各像素的源极方向(图面的横方向)的像素间距(pitch)为Ps，栅极方向(图面的纵方向)的像素间距为Pg时，为了使每一像素的电子束的照射点数为4，则须将源极方向的照射间隔(以下称作取样间距(sampling pitch))Ns设为Ns＝Ps/2，将栅极方向的照射间隔(以下称作取样间距)Ng设为Ng＝Pg/2。

当将该每一像素的电子束的照射点数设为4点时，使源极方向的扫描线上的照射点的位置与在栅极方向上邻接的扫描线上的照射点的位置在栅极方向上对准，而且，使栅极方向的扫描线上的照射点的位置与在源极方向上邻接的扫描线上的照射点的位置在源极方向上对准，由此，在各像素内，使照射点的位置在源极方向以及栅极方向上一致，从而沿横方向以及纵方向进行扫描。另外，为了对从照射点释放的二次电子等进行检测，照射位置与取样位置是设为同一点。

各像素的缺陷检测是通过下述方式来进行，即：由像素内的取样点的检测信号来算出缺陷检测用的信号强度，并对该信号强度与预定的阈值进行比较。

在将每一像素的电子束的照射点数设为4点来使电子束进行扫描的扫描方法中，配置在TFT面板上的各像素越小且像素数越多，则每一TFT面板的取样点数越是增加，因此存在检查时间变长的问题。

为了解决此种问题，提出下述方案：将各像素内的电子束照射点的位置设为位于对角位置的2点，由此使得每一像素的取样点数减少，对照射至像素的电子束的照射位置精度的下降进行抑制(参照专利文献1)。