[发明专利]抗蚀剂底层组合物以及利用其制造半导体集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂底层组合物，包含有机硅烷缩聚产物和溶剂，所述有机硅烷缩聚产物包括40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元，

[化学式1]

其中，在化学式1中，

ORG选自由包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团、C1至C12烷基、和-Y-{Si(OR)₃}_a组成的组，

其中，R是C1至C6烷基，Y是主链中的直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基；或包括选自由亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、以及它们的组合组成的组中的取代基的C1至C20亚烷基，并且a是1或2，并且Z选自由氢和C1至C6烷基组成的组。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述有机硅烷缩聚产物进一步包含由以下化学式2或化学式3表示的结构单元：

[化学式2]

[化学式3]

其中，在化学式2和化学式3中，

ORG选自由包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团、C1至C12烷基、和-Y-{Si(OR)₃}_a组成的组，

其中，R是C1至C6烷基，Y是主链中的直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基；或包括选自由亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、以及它们的组合组成的组中的取代基的C1至C20亚烷基，并且a是1或2，并且

Z选自由氢和C1至C6烷基组成的组。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述有机硅烷缩聚产物是在酸催化剂或碱催化剂存在下利用由以下化学式4和化学式5表示的化合物来生产的：

[化学式4]

[R¹O]₃Si-X

[化学式5]

[R²O]₃Si-R³

其中，在化学式4和化学式5中，

R¹和R²相同或不同，并且各自独立地是C1至C6烷基，

R³是C1至C12烷基，并且

X是包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述有机硅烷缩聚产物是在酸催化剂或碱催化剂存在下利用由以下化学式4至化学式6表示的化合物来生产的：

[化学式4]

[R¹O]₃Si-X

[化学式5]

[R²O]₃Si-R³

[化学式6]

{[R⁴O]₃Si}_n-Y

其中，在化学式4至化学式6中，

R¹、R²和R⁴相同或不同，并且各自独立地是C1至C6烷基，

R³是C1至C12烷基，

X是包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团，

Y是主链中的直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基；或包括选自由亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、以及它们的组合组成的组中的取代基的C1至C20亚烷基，并且

n是2或3。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团由以下化学式21表示：

[化学式21]

*-(L)_m-X¹

其中，在化学式21中，

L是直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基，其中所述亚烷基的一个或多个碳被选自由醚基（-O-）、羰基（-CO-）、酯基（-COO-）、和胺基（-NH-）组成的组中的官能团可选地取代，

X¹选自由取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C7至C20芳基羰基、以及取代或未取代的C9至C20色酮基组成的组，并且

m是0或1。