[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法

权利要求书

1.一种在Ⅲ族氮化物单晶构成的n型半导体层上形成n型接触电极的方法，其特征在于，包含下述工序，即

在该n型半导体层上形成Ti、V、Ta这一组中选择出的至少1种构成的金属层形成的第一电极金属层后，在800℃以上1200℃以下温度进行热处理的工序、以及

在所述第一电极金属层上形成包含功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10^-6Ω·cm～4.0×10^-6Ω·cm的金属构成的高导电性金属层的第二电极金属层后，在700℃以上1000℃以下温度进行热处理的工序。

2.根据权利要求1所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，

所述n型半导体层由满足Al_xIn_yGa_zN所示的组成的Ⅲ族氮化物单晶构成，其中x、y、z为满足0＜x≦1.0、0≦y≦0.1、0≦z＜1.0的有理数，x＋y＋z＝1.0。

3.根据权利要求1或2所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，

所述第二电极金属层还包含Au和/或Pt构成的贵金属层。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，

所述第二电极金属层还包含Ti、V、Ta这一组中选出的至少1种构成的接合金属层。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，

所述第二电极金属层具有包含Ti、V、Ta这一组中选出的至少一种构成的接合金属层、功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10^-6Ω·cm～4.0×10^-6Ω·cm的金属构成的高导电性金属层、以及Au和/或Pt构成的贵金属层的多层结构，在该多层结构中，所述接合金属层被配置于最下层，所述贵金属层被配置于所述高导电性金属层的上层。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，

形成第二电极金属层后的热处理的温度比形成第一电极金属层后的热处理的温度低。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的形成n型接触电极的方法，其特征在于，还包含在形成所述第一电极金属层之前利用碱溶液对所述n型半导体层进行表面处理的工序。

8.一种Ⅲ族氮化物半导体，其特征在于，具有根据权利要求1～7中的任一项所述的方法形成的n型接触电极。

9.一种n型接触电极，形成于Ⅲ族氮化物单晶构成的n型半导体层上,其特征在于,由第一层和第二层构成，

所述第一层是以从Ti、V、Ta这一组中选出的至少一种金属为主成分，形成于n型半导体层上的第一层、

所述第二层形成于所述第一层上,包含Ti、V、Ta这一组中选出的至少一种金属、功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10^-6Ω·cm～4.0×10^-6Ω·cm的金属，以及Au和/或Pt，

第二层中的，功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10^-6Ω·cm～4.0×10^-6Ω·cm的金属、或Au和/或Pt偏析于靠第一层的一側。