[发明专利]具有通孔轨迹连接的电路板以及制造该电路板的方法无效
| 申请号: | 201080057476.9 | 申请日: | 2010-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN102754195A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 安德鲁·奎·莱昂;尼尔·麦克莱伦;伊普·森·洛 | 申请(专利权)人: | ATI科技无限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
| 地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 轨迹 连接 电路板 以及 制造 方法 | ||
1.一种制造方法,包括:
形成电路板(320)的第一互联层,该第一互联层包括具有第一分区(530)的第一导体轨迹(420),该第一分区(530)不包括通孔接合区;以及
在该第一分区(530)上形成第一通孔(440)。
2.如权利要求1所述的方法,包括在所述第一互联层以定距离间隔形成第二和第三导体轨迹(510)(515)并且横向偏离所述第一通孔(440)。
3.如权利要求2所述的方法,包括在第一互联层上与所述第一导体轨迹(420)以定间距间隔形成第四导体轨迹(425),所述第四导体轨迹包括第二分区,该第二分区不包括通孔接合区并且在所述第二分区上形成第二通孔(445)。
4.如权利要求1所述的方法,其中形成具有凹槽(550)的所述第一通孔(440)以与所述第一分区(530)接合。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一分区形成有开口(559)并且第一通孔(440”’)形成有与该开口相匹配的凸起(560)。
6.如权利要求1所述的方法,包括将半导体芯片耦接到所述电路板上。
7.如权利要求1所述的方法,包括采用存储在计算机可读介质上中的指令来形成所述第一导体轨迹(420)和第一通孔(440)。
8.如权利要求1所述的方法,包括在所述第一互联层上形成第二互联层。
9.一种用于在电路板(320)中传递电流的方法,包括:
在所述电路板(320)的第一互联层的第一导体轨迹(420)的第一分区(530)上定位第一通孔(440),其中所述第一分区(530)不包括通孔接合区;以及
传送第一电流经过所述第一导体轨迹(420)和所述第一通孔(440)。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述第一电流包括电性信号。
11.如权利要求9所述的方法,包括在所述第一互联层的第二导体轨迹(425)的第二分区上定位第二通孔(445),其中所述第二分区不包括通孔接合区,并且传送第二电流经过所述第二通孔(445)和所述第二导体轨迹(425)。
12.如权利要求9所述的方法,在第一和第二通孔之间以定距离间隔来定位第三和第四导体轨迹(510)(515)并且传递第三电流以穿过所述第三和第四导体轨迹中的至少一个。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述电路板(320)包括半导体芯片(315),该方法包括利用所述第三和第三导体轨迹以在所述半导体芯片和所述电路板之间传递所述第三电流。
14.一种电路板(320),包括:
包括具有第一分区(530)的第一导体轨迹(420)的第一互联层,其中所述第一分区(530)不包括通孔接合区;以及
在所述第一分区(530)上的第一通孔(440)。
15.如权利要求14所述的电路板,包括在所述第一互联层上与所述第一导体轨迹(420)定距离间隔的第二导体轨迹(425),所述第二导体轨迹(425)包括第二分区以及在所述第二分区上的第二通孔(425),所述第二分区不包括通孔接合区。
16.如权利要求14所述的电路板,包括在所述第一互联层以定距离间隔的第三和第四导体轨迹(510)(515)并且横向偏离所述第一通孔(440)。
17.如权利要求14所述的电路板,其中所述第一通孔(440)包括凹槽(550)以与所述第一分区(530)接合。
18.如权利要求14所述的电路板,其中所述第一分区包括开口(559)并且第一通孔(440”’)形成有与该开口匹配的凸起(560)。
19.如权利要求14所述的电路板,其中所述第一互联层包括增层。
20.如权利要求14所述的电路板,包括耦接到所述电路板(320)的半导体芯片(315)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





