[发明专利]合成非晶态二氧化硅粉末及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080057308.X 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102652109A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 植田稔晃 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;B01J19/08;B07B4/02;B22F1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蔡晓菡;高旭轶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 合成 晶态 二氧化硅 粉末 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.合成非晶态二氧化硅粉末,其是对造粒过的二氧化硅粉末实施球化处理后,进行洗涤、干燥而得到的平均粒径D50为10~2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末,其中,用BET比表面积除以由平均粒径D50算出的理论比表面积而得的值为1.00~1.35,真密度为2.10~2.20g/cm3,粒子内空隙率为0~0.05,圆形度为0.75~1.00,以及未熔化率为0.00~0.25。

2.如权利要求1所述的合成非晶态二氧化硅粉末,其是将上述造粒过的二氧化硅粉末煅烧后,实施上述球化处理而成的合成非晶态二氧化硅粉末,其中,满足碳浓度小于2ppm或氯浓度小于2ppm的任一者或这两者。

3.如权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,其中,上述造粒过的二氧化硅粉末是通过使四氯化硅水解而生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级而得到的二氧化硅粉末,

碳浓度小于2ppm。

4.如权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,其中,上述造粒过的二氧化硅粉末是通过使有机系硅化合物水解而生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶进行干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级来得到的二氧化硅粉末,

氯浓度小于2ppm。

5.如权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,其中,上述造粒过的二氧化硅粉末是通过使用热解法二氧化硅来生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级而得到的二氧化硅粉末,

碳浓度小于2ppm,氯浓度小于2ppm。

6.合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,依次包含

通过生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级来得到二氧化硅粉末的造粒步骤、

在利用规定的高频功率产生等离子体的等离子枪内,以规定的供给速度加入上述造粒步骤中得到的二氧化硅粉末,利用使该造粒步骤中得到的二氧化硅粉末在从2000℃至二氧化硅的沸点的温度下加热、熔融的热等离子体进行的球化步骤、

去除在上述球化步骤后的球化二氧化硅粉末表面上附着的微粉的洗涤步骤、和

将上述洗涤步骤后的二氧化硅粉末干燥的干燥步骤,

将上述球化步骤中的高频功率(W)设为A、二氧化硅粉末的供给速度(kg/hr)设为B时,使上述高频功率A为90kW以上的条件、且进行调整以使A/B(W?hr/kg)的值为1.0×104以上,

得到平均粒径D50为10~2000μm、用BET比表面积除以由平均粒径D50算出的理论比表面积而得的值为1.00~1.35、真密度为2.10~2.20g/cm3、粒子内空隙率为0~0.05、圆形度为0.75~1.00和未熔化率为0.00~0.25的合成非晶态二氧化硅粉末。

7.如权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,其中,上述造粒步骤是通过使四氯化硅水解而生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级,来得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的步骤。

8.如权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,其中,上述造粒步骤是通过使有机系硅化合物水解而生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级,来得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的步骤。

9.如权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,其中,上述造粒步骤是通过使用热解法二氧化硅而生成二氧化硅质的凝胶、将该二氧化硅质的凝胶进行干燥而形成干燥粉、并将该干燥粉粉碎后进行分级,来得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的步骤。

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