[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备有效
| 申请号: | 201080055940.0 | 申请日: | 2010-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN102782586A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
| 发明(设计)人: | 奥田笃;西田孟 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03G5/05 | 分类号: | G03G5/05 |
| 代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
| 地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 照相 感光 构件 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件,和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
作为用于安装于电子照相设备的电子照相感光构件的光导电性材料(电荷产生材料或电荷输送材料),已积极开发了有机光导电性材料。使用有机光导电性材料的电子照相感光构件通常具有通过在支承体上施涂其中将有机光导电性材料和树脂(粘结树脂)溶解和分散于溶剂中的涂布液、接着干燥而形成的感光层。此外,感光层通常具有层压型(顺层层压型)结构,在所述层压型结构中,将电荷产生层和电荷输送层从支承体侧顺次层压。
然而,使用有机光导电性材料的电子照相感光构件不具有电子照相感光构件所需的全部性质。在电子照相方法中,各种材料(在一些情况中,下文称为接触构件等)如显影粉、充电构件、清洁刮板、纸张和转印构件与电子照相感光构件的表面接触。作为电子照相感光构件所需的性质之一,可以述及降低由与接触构件等的接触应力引起的图像劣化。特别地,近年来,随着电子照相感光构件的耐久性已得到改进,期望由于上述接触应力引起的图像劣化的降低效果的持续性。
为了降低上述接触应力,已提出将在其分子链中具有硅氧烷结构的硅氧烷改性的树脂包含于与上述各种接触构件接触的电子照相感光构件的表面层中的方案。例如,PTL 1已公开其中在聚碳酸酯树脂中引入硅氧烷结构的树脂。此外,PTL 2已公开其中在使用具有硅氧烷结构的嵌段共聚物树脂材料的电子照相感光构件中形成区域(domain)的技术。如上述技术一样,PTL 3也公开其中颗粒形式的硅酮材料分散于电子照相感光构件的电荷输送层的技术,和根据该专利文献,已报导能够有效地防止放电击穿并能够抑制图像劣化(黑点的产生)。在PTL 4和PTL 5中,已公开在其侧链中具有硅氧烷结构的聚碳酸酯树脂。
然而,通过在上述专利文献中公开的电子照相感光构件,不能同时实现电子照相性能的维持和接触应力的持续降低。在PTL 1中,由于包含引入硅氧烷结构的聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂,从而获得初期滑动性。虽然还改进滑动性的持续性,但改进程度不是令人满意的。此外,在PTL 1中,作为赋予持续的滑动性的方法,已提出其中将树脂混合在一起的表面层。然而,PTL 1已公开通过树脂混合形成区域降低光透过率和感光度,和控制硅氧烷的含量以便不引起区域形成。此外,当在PTL 1中公开的具有硅氧烷结构的聚碳酸酯树脂的硅氧烷部位的含量增加时,在聚芳酯树脂中形成电荷输送材料的聚集,结果,在一些情况中劣化重复使用时的电位稳定性。
在PTL 2中公开的材料为包括具有低表面能性质的组分和基体组分的树脂,这两种组分包括于相同的树脂中,并且该专利文献已公开由于具有低表面能性质的组分形成区域,因此形成低表面能状态。由于具有低表面能性质的硅氧烷部位具有高表面迁移性(界面迁移性)和易于存在于与邻接于电荷输送层的电荷产生层的界面,在包括具有层压型结构的感光层的电子照相感光构件中,在一些情况中可能由此发生电位变化的增加。在由在PTL 2中公开的材料形成的电子照相感光构件中,在一些情况下也发生由上述原因引起的电位变化。
此外,在PTL 3中公开的其中颗粒形状的硅酮材料分散于电荷输送层中的电子照相感光构件中,通过如上所述的表面迁移性(界面迁移性),由于上述原因在一些情况中发生电位变化。
此外,在其中当将PTL 4中公开的在其侧链上具有硅氧烷结构的聚碳酸酯树脂用于电子照相感光构件时的情况中,电荷输送材料在聚碳酸酯树脂中聚集,和重复使用时的电位稳定性在一些情况中劣化。在PTL 4中,为了不劣化透明性和电性质,研究了硅氧烷含量的降低;然而,没有公开与另外的树脂的基体-区域结构的形成。此外,在PTL 4中,已公开将滑动性赋予到电子照相感光构件,和改进初期滑动性;然而,重复使用时的滑动性的持续性不总是令人满意。在PTL 5中,为了不劣化耐热性,研究了硅氧烷含量的降低;然而,没有公开与另外的树脂的基体-区域结构的形成。此外,在PTL 5中,已公开将滑动性赋予到电子照相感光构件,和改进初期滑动性;然而,重复使用时的滑动性的持续性不总是令人满意。
引用文件列表
专利文献
PTL 1 日本专利特开2009-037229
PTL 2 日本专利特开2007-004133
PTL 3 日本专利特开2005-242373
PTL 4 日本专利特开5-158249
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