[发明专利]用于处理基材的装置与方法

权利要求书

1.一种用于处理基材（1）的方法，其包含：

提供基材（1），其在放置于真空时呈除气状态；

置放所述基材（1）于真空中；

通过将所述基材（1）加热至温度T1并移除由所述基材（1）所发出的气体污染物来执行除气处理，直到除气率被所述基材之污染物的扩散所决定，因而建立实质稳态；然后

当所述基材之污染物的扩散率低于在所述温度T1时所呈现的扩散率时，将所述基材的温度降低至温度T2；以及

在所述温度T2对所述基材（1）进行进一步处理，直到所述基材（1）被含有金属（16）的薄膜所覆盖。

2.如权利要求1所述之方法，其中，温度T1与温度T2之间的差至少为100K。

3.如权利要求1或2所述之方法，其中，在对所述基材（1）进行进一步处理的过程中，将所述基材（1）维持在所述温度T2或小于所述温度T2。

4.如权利要求1至3中的一项权利要求所述之方法，其中，对所述基材（1）进行进一步处理的步骤包含一步或更多对所述基材（1）的蚀刻步骤，以及将一个或更多金属层沉积到所述基材（1）上的步骤。

5.如权利要求1至4中的一项权利要求所述之方法，其中，所述基材（30）是包含有机材料的层（32）的半导体晶圆（31）。

6.如权利要求5所述之方法，其中，所述有机材料（32）包含布置在所述半导体晶圆（31）的前表面上的聚亚酰胺层。

7.如权利要求5或6所述之方法，其中，所述半导体晶圆（31）是硅晶圆。

8.如权利要求1至7中的一项权利要求所述之方法，其中，所述基材（1）之前表面与后表面中的一个或多个的至少一部分包含有机材料（3）。

9.如权利要求1至8中的一项权利要求所述之方法，还包括捕取由基材（1）发出的气态物质于位于抽气路线上的冷却阻碍中。

10.如权利要求1至9中的一项权利要求所述之方法，还包括监测由基材（1）发出的气态物质，并确认化合物CO₂、H₂O、C_xH_y的一种或更多种的存在。

11.如权利要求1至10中的一项权利要求所述之方法，还包括在沉积所述第一金属层（16）前，在温度T2进行清洁处理。

12.如权利要求11所述之方法，其中，所述清洁处理为蚀刻处理。

13.如权利要求11或12所述之方法，还包括在清洁处理时主动地冷却所述基材（1）。

14.如权利要求1至13中的一项权利要求所述之方法，还包括在沉积所述第一金属层（16）时主动地冷却所述基材（1）。

15.如权利要求1至14中的一项权利要求所述之方法，还包括在所述第金属层（16）上沉积第二金属层（17），以及在所述第二金属层（17）上沉积第三金属层。

16.如权利要求1至15中的一项权利要求所述之方法，还包括在将所述第一金属层（16）沉积在所述基材（1）的前表面上之前，在所述基材（1）的背面上沉积密封金属层（43）。

17.一种制造电子组件的方法，所述方法包括执行如权利要求1至16中的一项权利要求所述之方法，以及切割所述基材（1），以制造或多个电子组件，所述电子组件包含半导体芯片（2）和至少一个金属层（7），所述半导体芯片嵌设于塑料成份中，所述至少一个金属层位于半导体芯片（2）的至少一者上及所述塑料成份（3）上。

18.一种用于处理基材（1）的设备，其包含至少两个除气单元和至少一个处理单元，其中，

一个第一除气单元包含具有加热所述基材（1）的装置的气锁器及处理监测传感器，所述气锁器连接于排空系统，

一个第二除气单元包含用以加热所述基材的装置、用以吹气至所述基材之背面的气体供应器、处理监测传感器，所述第二除气单元连接于排空系统，以及

至少一个后续处理单元包含用以主动冷却所述基材（1）的装置。

19.如权利要求18所述之设备，其中，用以冷却所述基材（1）的装置是包含加热件的致冷夹。