[发明专利]基于纳米管的场发射装置和方法

权利要求书

1.一种制造场发射显示器的阴极部分的方法，所述方法包括步骤：

制造一个末端接合到大体平坦基板的大体平行的碳纳米管阵列；

将所述纳米管嵌入延伸到所述纳米管与所述平坦基板的接合平面的聚合物基体中，其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离与所述平坦基板接合的所述末端的末端不被所述聚合物基体覆盖，以允许彼此电接触和与所接合的导体电接触；

从所述平坦基板卸下所述阵列，藉此制造使所述纳米管的所述先前接合的末端大体位于一个平面中的表面；和

将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述挠性场发射显示器呈挠性，且其中所述聚合物基体可流动到所述纳米管阵列中并随后固化成挠性的已固化基体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物基体是聚硅氧烷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述聚硅氧烷包括铂固化催化剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的所述纳米管末端阵列是以金属涂料涂覆。

6.一种场发射装置，其包括：

聚合物基体，

其中所述聚合物基体是聚硅氧烷；和

至少一个碳纳米管，

其中所述至少一个碳纳米管大体彼此平行，

其中所述至少一个碳纳米管接合到所述聚合物基体，和

其中所述至少一个碳纳米管的未接合部分大体彼此平齐。