[发明专利]单片并联互连结构

权利要求书

1.一种光电子器件，其包括连续阳极层、不连续阴极层和夹在所述连续阳极层与所述不连续阴极层之间的电活性层。

2.如权利要求1所述的光电子器件，其还包括在第一电势连到所述连续阳极的多个连接和在第二电势连到所述不连续阴极的至少一个连接。

3.如权利要求2所述的光电子器件，其中所述多个连接中的至少一个穿过所述不连续阴极层。

4.如权利要求3所述的光电子器件，其中所述不连续阴极层包括多个通孔，所述多个连接中的该至少一个穿过所述通孔的每个。

5.如权利要求2所述的光电子器件，其还包括设置在所述不连续阴极层上的绝缘层，和电耦合于所述连续阳极层并且设置在所述绝缘层上的导电层。

6.如权利要求1所述的光电子器件，其还包括与所述阴极层电隔离的多个导电材料区域，所述导电材料区域直接设置在所述阳极层上并且配置成电耦合于所述阳极层。

7.如权利要求1所述的光电子器件，其还包括：

馈通层，其设置在所述不连续阴极上并且限定多个馈通孔隙；以及

至少一个导电贴片，其电耦合于所述连续阳极并且跨至少一个馈通孔隙设置。

8.如权利要求1所述的光电子器件，其包括有机发光器件。

9.一种光电子器件，其包括连续的未图案化的阳极层和图案化的阴极层；

其中所述图案化的阴极层采用带状结构配置。

10.如权利要求9所述的光电子器件，其还包括：

电活性层，其夹在所述未图案化的阳极层和所述图案化的阴极层之间；以及

至少一个阳极总线区，

每个阳极总线区直接设置在所述连续的未图案化的阳极层的部分上。

11.如权利要求9所述的光电子器件，其还包括在第一电势连到所述未图案化的阳极的多个连接和在第二电势连到所述图案化的不连续阴极的至少一个连接。

12.如权利要求11所述的光电子器件，其中所述多个连接中的至少一个穿过所述图案化的阴极层。

13.如权利要求12所述的光电子器件，其中所述图案化的阴极层包括多个通孔，所述多个连接中的该至少一个穿过所述通孔的每个。

14.一种用于制造光电子器件的工艺，所述方法包括：

提供连续的未图案化的阳极层；

在所述连续的未图案化的阳极层上形成图案化的电活性层；以及

在所述电活性层上形成图案化的阴极层。

15.如权利要求14所述的工艺，其还包括形成连到所述连续的未图案化的阳极层的多个电连接；

其中所述多个电连接中的至少一个穿过所述多个通孔中的一个。

16.如权利要求14所述的工艺，其中在所述连续的未图案化的阳极层上形成图案化的电活性层的步骤包括：

在所述连续的未图案化的阳极层上沉积电活性层；以及

选择性地去除所述电活性层的部分。

17.如权利要求14所述的工艺，其包括卷装工艺。

18.如权利要求17所述的工艺，其中：

在卷幅方向上选择性地去除所述电活性层的部分；以及

在选择性地去除所述电活性层的部分后，仅在剩余的所述电活性层的部分上沉积阴极层；

不停止地形成卷幅横向图案。

19.如权利要求17所述的工艺，其中阳极总线层与所述阴极层同时仅沉积在所述阳极的暴露区上。

20.如权利要求14所述的工艺，其还包括：

形成馈通层，其包括通向所述不连续阴极的至少一个馈通孔隙；以及

跨至少一个馈通孔隙设置至少一个导电贴片，其电耦合于所述连续阳极。