[发明专利]离子束辅助溅射装置及离子束辅助溅射方法

权利要求书

1.离子束辅助溅射装置，其具有：

靶材；

向该靶材照射溅射离子、轰击出所述靶材构成粒子一部分的溅射离子源；

设置用于堆积从所述靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域；

相对于设置在该成膜区域的所述基材的成膜面的法线方向，从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置；

所述溅射离子源具有多个离子枪，它们排列成可对所述靶材的一侧端部到另一侧端部进行溅射离子束的照射，所述多个离子枪的产生所述溅射离子束的电流值分别设定。

2.根据权利要求1所述的离子束辅助溅射装置，其特征在于，所述多个离子枪中设置于两端的离子枪的所述电流值设定成高于在这些设置在两端的离子枪之间设置的其他离子枪的所述电流值。

3.根据权利要求1或2所述的离子束辅助溅射装置，其特征在于，所述靶材形成为与所述成膜区域对应的长方形，

所述多个离子枪沿所述靶材的长度方向配置。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的离子束辅助溅射装置，其特征在于，所述配置在两端的离子枪的所述电流值设定成比在这些设置在两端的离子枪之间设置的所述其他离子枪的所述电流值高4～100％。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的离子束辅助溅射装置，其特征在于，所述多个离子枪的所述电流值分别调整。

6.离子束辅助溅射方法，其使用具有以下构成的离子束辅助溅射装置：

靶材；

具有排列成可对所述靶材的一侧端部到另一侧端部进行轰击出所述靶材构成粒子一部分的溅射离子束照射的多个离子枪的溅射离子源；

设置用于堆积从所述靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域；

相对于设置在该成膜区域的所述基材的成膜面的法线方向，从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置；

所述离子束溅射方法是用所述离子束辅助溅射装置在设置在所述成膜区域的所述基材上堆积所述靶材构成粒子、在所述基材上成膜的离子束辅助成膜方法，其包含以下工序：

将所述多个离子枪中设置于两端的离子枪的用于产生所述溅射离子束的电流值设定成高于在这些设置在两端的离子枪之间设置的其他离子枪的用于产生所述溅射离子束的电流值，进行离子束辅助溅射。

7.根据权利要求6所述的离子束辅助溅射方法，其特征在于，在所述离子束辅助溅射工序中，所述设置于两端的离子枪的所述电流值设定为比在这些设置在两端的离子枪之间设置的所述其他离子枪的所述电流值高4～100％。