[发明专利]银厚膜浆料组合物及其在光伏电池导体中的用途

权利要求书

1.银厚膜浆料组合物，所述组合物包含：

a.银粉，所述银粉包括银粒子，每个所述银粒子包含长100-2000nm、宽20-100nm和厚20-100nm的银组分，所述银组分被聚集以形成球状的、开放式结构的微粒，其中所述d₅₀粒度为约2.5μm至约6μm；

b.玻璃料；和

c.有机介质，其中所述银粉和所述玻璃料分散在所述有机介质中。

2.权利要求1的银厚膜浆料组合物，所述组合物包含65-90重量％的银粉、0.1-8重量％的玻璃料和5-30重量％的有机介质，其中所述重量％基于所述组合物的总重量。

3.权利要求2的银厚膜浆料组合物，所述组合物包含78-83重量％的银粉、2-5重量％的玻璃料和13-20重量％的有机介质。

4.权利要求1的银厚膜浆料组合物，所述组合物还包含：

a.金属氧化物、在焙烧时形成所述金属氧化物的金属或金属化合物、或它们的混合物，其中所述金属选自分散在所述有机介质中的锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、铬以及它们的混合物。

5.权利要求4的银厚膜浆料组合物，其中在焙烧时的所述金属氧化物为ZnO。

6.权利要求5的银厚膜浆料组合物，所述组合物包含60-90重量％的银粉、0.1-8重量％的玻璃料、2-10重量％的ZnO和5-30重量％的有机介质，其中所述重量％基于所述组合物的总重量。

7.权利要求6的银厚膜浆料组合物，所述组合物包含78-83重量％的银粉、2-5重量％的玻璃料、3-7重量％的ZnO和6-17重量％的有机介质。

8.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及权利要求1的银厚膜浆料组合物；

b.将所述绝缘膜施用到所述半导体基板上，

c.将所述银厚膜浆料组合物施用到所述半导体基板上的绝缘膜上，以及

d.焙烧所述半导体基板、所述绝缘膜和所述银厚膜浆料组合物。

9.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及权利要求4的银厚膜浆料组合物；

b.将所述绝缘膜施用到所述半导体基板上，

c.将所述银厚膜浆料组合物施用到所述半导体基板上的所述绝缘膜上，以及

d.焙烧所述半导体基板、所述绝缘膜和所述银厚膜浆料组合物。

10.由权利要求8的方法制造的半导体装置。

11.由权利要求9的方法制造的半导体装置。

12.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧前包含权利要求1的银厚膜浆料组合物。

13.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧前包含权利要求4的银厚膜浆料组合物。

14.包括电极的太阳能电池，其中所述电极在焙烧前包含权利要求1的银厚膜浆料组合物。

15.包括电极的太阳能电池，其中所述电极在焙烧前包含权利要求4的银厚膜浆料组合物。

16.半导体装置，所述半导体装置包括半导体基板、绝缘膜和正面电极，其中所述正面电极包含一种或多种组分，所述组分选自硅酸锌和硅酸铋。