[发明专利]光电转换装置和其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，所述光电转换装置具备p型层、i型层和n型层的层叠结构，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层，所述光电转换装置的制造方法的特征在于：

包括形成所述i型层的工序，所述工序形成第一微晶硅层，并且在所述第一微晶硅层上，以与所述第一微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布低的条件形成第二微晶硅层。

2.如权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

所述第一微晶硅层在玻璃基板上作为单膜进行成膜的情况下，以如下条件形成：拉曼光谱法的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic和480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia的峰高度之比Ic/Ia为2～4的范围，

所述第二微晶硅层，在玻璃基板上作为单膜进行成膜的情况下，以所述峰高度之比Ic/Ia为4～6的范围的条件形成。

3.如权利要求1或2所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

在形成所述第一微晶硅层之前，还包括按照与所述第一微晶硅层和所述第二微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布高的条件形成缓冲层的工序。

4.如权利要求3所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

所述缓冲层，在玻璃基板上作为单膜进行成膜的情况下，拉曼光谱法的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic和480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia的峰高度之比Ic/Ia为10以上并且其膜厚为40nm以上，或者所述峰高度之比Ic/Ia为13以上。

5.一种光电转换装置，具备p型层、i型层和n型层的层叠结构，所述p型层包括p型掺杂剂，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层，所述n型层包括n型掺杂剂，所述光电转换装置的特征在于：

所述i型层具有第一微晶硅层和第二微晶硅层的层叠结构，所述第二微晶硅层以与所述第一微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布低的条件形成。

6.如权利要求5所述的光电转换装置，其特征在于：

所述第一微晶硅层的膜厚在100nm以上250nm以下的范围。

7.如权利要求5或6所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

还包括按照与所述第一微晶硅层和所述第二微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布高的条件形成的缓冲层，

在所述缓冲层上形成有所述第一微晶硅层。

8.如权利要求7所述的光电转换装置，其特征在于：

所述缓冲层，在玻璃基板上作为单膜进行成膜的情况下，拉曼光谱法的520cm^-1附近的拉曼散射强度Ic与480cm^-1附近的拉曼散射强度Ia的峰高度之比Ic/Ia为10以上并且其膜厚为40nm以上，或者所述峰高度之比Ic/Ia为13以上。