[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底

权利要求书

1.一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：

准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制成；

形成基底层(10)的步骤，所述基底层(10)由碳化硅制成并保持所述多个SiC衬底(20)，其中当俯视观察时，所述多个SiC衬底(20)并排布置；以及

形成填充部(60)的步骤，所述填充部(60)填充所述多个SiC衬底(20)之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，在所述形成填充部(60)的步骤后还包括：使所述多个SiC衬底(20)的与所述基底层(10)相反的主面(20A)光滑的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，还包括：在所述多个SiC衬底(20)的与所述基底层(10)相反的主面(20A)上形成由单晶碳化硅制成的外延生长层(30)的步骤。

4.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述准备多个SiC衬底(20)的步骤中准备的所述多个SiC衬底(20)中的每一个SiC衬底具有对应于其解理面的端面(20B)。

5.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述准备多个SiC衬底(20)的步骤中准备的所述多个SiC衬底(20)中的每个SiC衬底具有对应于{0001}面的端面(20B)。

6.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述形成基底层(10)的步骤中，所述SiC衬底(20)中的每个SiC衬底具有与所述基底层(10)相反的主面(20A)，所述主面(20A)相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。

7.根据权利要求6所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述形成基底层(10)的步骤中，所述SiC衬底(20)中的每个SiC衬底的与所述基底层(10)相反的所述主面(20A)的偏离取向相对于<1-100>方向形成5°以下的角。

8.根据权利要求7所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述形成基底层(10)的步骤中，所述SiC衬底(20)中的每个SiC衬底的与所述基底层(10)相反的所述主面(20A)在<1-100>方向上相对于{03-38}面具有不小于-3°且不大于5°的偏离角。

9.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述形成填充部(60)的步骤中形成的所述填充部(60)具有大于5×10¹⁸cm^-3的杂质浓度。

10.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，还包括：

在所述形成基底层(10)的步骤前，通过对所述SiC衬底(20)实施质子辐照而形成易剥离区(91)的步骤，该步骤使得氢离子注入到沿着所述SiC衬底(20)中的每个SiC衬底的主面延伸的区域中，其中在所述主面上将要形成所述基底层(10)；以及

在所述形成填充部(60)的步骤后，在所述易剥离区(91)处使所述SiC衬底(20)从所述基底层(10)剥离的步骤。

11.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中在所述形成基底层(10)的步骤前，不对所述SiC衬底(20)中的每个SiC衬底的主面进行研磨，其中在所述主面上将要形成所述基底层(10)。

12.一种碳化硅衬底(1)，包含：

多个SiC层(20)，其各自由单晶碳化硅制成且当俯视观察时并排布置；和

填充部(60)，所述填充部(60)填充所述多个SiC层(20)之间的间隙。

13.根据权利要求12所述的碳化硅衬底(1)，其中所述填充部(60)具有大于5×10¹⁸cm^-3的杂质浓度。

14.根据权利要求12所述的碳化硅衬底(1)，还包含基底层(10)，所述基底层(10)由碳化硅制成并保持所述多个SiC层(20)，其中当俯视观察时所述多个SiC层(20)并排布置。