[发明专利]光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(1)，其具有

-支承体(2)，

-具有至少一个有源层(30)的至少一个半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)被安置在支承体(3)上，以及

-金属镜(4)，其处于支承体(2)与半导体层序列(3)之间，

其中，

-支承体(2)和半导体层序列(3)在横向方向上突出于金属镜(4)，以及

-金属镜(4)在横向方向上直接被封装层(5)围绕。

2.根据前一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)的厚度在30nm到70nm之间，其中包括边界值，并且封装层(5)的缺陷密度为最高每平方毫米0.1个缺陷，其中封装层(5)是电绝缘以及透射辐射的并且部分地或者完全地覆盖：

-金属镜(4)的所有横向边界面，

-半导体层序列(3)的朝向支承体(2)、突出于金属镜(4)的边界面，

-半导体层序列(3)的边缘(32)，以及

-支承体(2)、第二镜层(6)和/或焊接连接层(22)的朝向半导体层序列(3)并且在辐射穿透面(35)的俯视图中被半导体层序列(3)覆盖的边界面。

3.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)包含以下材料之一或者由以下材料之一构成：氧化铟锡、钨、SiO₂、Al₂O₃和/或ZrO₂。

4.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)的材料针对水和氧气具有根据0.1μm的材料厚度来计算的最高10^-5g/(m²d)的特定扩散常数。

5.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中金属镜(4)具有在100nm到200nm之间的厚度，其中包括边界值，并且其中封装层(5)的厚度在20nm到100nm之间，其中包括边界值。

6.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)在横截面中是U形的。

7.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)包括至少两种不同材料的单个层(5a，5b)的序列，其中封装层(5)总共包括至少四个单个层(5a，5b)并且单个层(5a，5b)的厚度分别在2nm到8nm之间，其中包括边界值。

8.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中，半导体层序列(3)突出于金属镜(4)的横向突出部(L)在100nm到2.0μm之间，其中包括边界值。

9.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中封装层(5)是透明的，并且吸收最高3.0％的通过的、被有源层(30)产生的或者待接收的辐射。

10.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其包括第二镜层(6)，该第二镜层(6)处于金属镜(4)与支承体(2)之间并且在横向方向上突出于半导体层序列(3)，其中第二镜层(6)被构建为反射通过封装层(5)透射的、在有源层(30)中产生的辐射。

11.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中金属镜(4)的面积与半导体层序列(3)的面积的比例为至少95％。

12.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)，

其中(5)半导体层序列(3)的辐射穿透面(35)没有封装层。

13.一种用于制造无机光电子半导体器件的方法，其具有以下步骤：

-提供支承体(2)、半导体层序列(3)和金属镜(4)，其中金属镜(4)处于支承体(2)与半导体层序列(3)之间并在横向方向上被其突出，以及

-将封装层(5)在横向方向上直接施加在金属镜(4)上，

其中，封装层(5)通过原子层沉积来产生。

14.根据前一项权利要求所述的方法，其中在封装层(5)上通过气相沉积施加厚度在100nm到500nm之间的保护层(50)，其中包括边界值。