[发明专利]交叉耦合调节装置以及包括该装置的RF腔体滤波器

说明书

技术领域

RF腔体滤波器本发明涉及一种交叉耦合调节装置以及包括该装置的RF腔体滤波器，更具体地涉及一种用于形成调节滤波器的边缘(skirt)特性的陷波(notch)的交叉耦合调节装置以及包括该装置的RF腔体滤波器。 

背景技术

RF腔体滤波器是在该滤波器内部形成多个腔体，只允许通过应用频率频带的信号的装置，运用在如基站等应用高功率频率信号的地方。 

图1为显示一般现有RF腔体滤波器内部结构的平面图。 

如图1所示，一般现有RF腔体滤波器包括输入接线柱100、输出接线柱102、外壳104、由外壳104和隔壁限定的多个腔体110、112、114、116、118、120、容纳在各腔体的多个谐振器130、132、134、136、138、140。 

RF信号输入至输入接线柱100，从输入接线柱100接入的RF信号提供至腔体110。各个腔体110、112、114、116、118、120和容纳在各腔体的谐振器130、132、134、136、138、140作为LC谐振电路启动工作。 

信号通过耦合窗180完成从一个腔体到另一个腔体的移动。 

腔体尺寸和谐振器尺寸决定滤波器的谐振频率，虽未在图1显示，通过使用多个的调谐螺钉可以完成微小调谐操作。 

边缘(skirt)特性是滤波器频带通过特性中的一个重要特性。该边缘特性是指滤波器频带通过特性曲线中分界频带的倾斜度，优选仅可能陡峭地设定边缘特性。 

这种边缘特性有随着滤波器次数增高即腔体和谐振器数量增加而改善的特征，但这种边缘特性与滤波器的另外特性的插入损耗之间有折衷考虑(Trad e-Off)关系。即，虽然边缘特性随着腔体和谐振器数量增加而得到了改善，但与此反比例地发生插入损耗增加的问题。 

为了在维持一定插入损耗的同时改善边缘特性，过去采用了通过交叉耦合形成陷波notch来改善边缘特性的方法。 

所谓交叉耦合是指，不是谐振器间通过耦合窗依次耦合的，而是如第2谐振器132和第5谐振器138之间的耦合，非通过耦合窗而临近的谐振器之间的耦合。 

这种交叉耦合通常采用被称为耦合杆的装置来完成，图2是图示具有耦合杆的普通滤波器的平面图。 

参照图2，耦合杆200贯穿第二腔体112和第5腔体118之间的侧壁，且耦合杆由金属材质构成。 

举例来说，耦合杆200起到使与第2谐振器132关联的信号耦合至第5谐振器138的作用，通过由金属材质形成的耦合杆200可以完成这种耦合工作。 

为耦合杆200的贯通，第2腔体122和第5腔体128之间的侧壁上形成有孔，并且该孔的内周面形成有电介质层，使耦合杆200在与外壳侧壁绝缘状态下进行耦合。外壳与接地电连接的状态下，诺耦合杆200与该接地电连接的时，不能完成第2谐振器132和第5谐振器138之间的交叉耦合工作，因此形成电介质层。 

利用耦合杆200诱发在谐振器之间非依次的耦合的时候，发生陷波改善分界频带的边缘特性。 

但是，现有这种利用耦合杆200的交叉耦合结构存在着不能调整交叉耦合的谐振器之间的耦合量的问题。交叉耦合量由耦合杆的尺寸来决定，因此，按照现有技术，未能得到充分耦合的交叉耦合时，得要更换另外尺寸的耦合杆，在耦合杆200已经安装的状态下是不能调整耦合量。 

为解决现有这种问题，也提出过在耦合杆的安装位置插入调谐螺钉来调整耦合量的方法，但这种方式是不能实质性地改变耦合杆的物理长度的方法，通过调谐螺钉变化的耦合量微小，产业化使用上存在着困难。 

发明内容

技术问题 

为了解决如所述的现有技术中的问题，本发明提供一种可适当调整交叉耦合量的交叉耦合调节装置以及包括该装置的RF腔体滤波器。 

本发明的另一个目的在于，提供可充分调整交叉耦合量的交叉耦合调节装置以及包括该装置的RF腔体滤波器。 

本领域技术人员通过下述的实施例容易导出本发明的其它目的。 

技术方案