[发明专利]半导体光学检测器结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

具有衬底掺杂的半导体衬底；及

具有层掺杂的掺杂晶体半导体层，该掺杂晶体半导体层在前界面处位于所述半导体衬底的前表面上，其中所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述层掺杂具有掺杂分布。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，掺杂分布是以下任意一个或者多个：恒定分布、坡度分布、阶梯分布。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中，所述掺杂分布是具有一个或多个厚度的阶梯分布，每个厚度都具有厚度掺杂。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底是以下材料中的一种或多种：硅、玻璃上的硅、蓝宝石上的硅、石英上的硅、金属上的硅、石墨上的硅、陶瓷上的硅、硅与锗的化合物、冶金级硅、太阳能级硅、锗、玻璃上的锗、蓝宝石上的锗、石英上的锗、金属上的锗、石墨上的锗、陶瓷上的锗、玻璃、金属、陶瓷、石墨和塑料。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掺杂晶体半导体层是以下材料中的一种或多种：硅、锗、硅与锗的化合物，及硅与碳的化合物。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掺杂晶体半导体层是单晶层。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掺杂晶体半导体层是多晶层。

9.一种半导体结构，包括：

具有衬底掺杂的半导体衬底，该半导体衬底具有前衬底侧和背衬底侧；

具有前层掺杂的前面掺杂晶体半导体层，该前面掺杂晶体半导体层在所述前衬底侧位于所述半导体衬底的前界面上，其中所述衬底掺杂在100埃的所述前界面内变化到所述前层掺杂，而且跨所述前面掺杂晶体半导体层的厚度具有期望的掺杂分布；及

具有背层掺杂的背面掺杂晶体半导体层，该背面掺杂晶体半导体层在所述背衬底侧位于所述半导体衬底的背界面上，其中所述衬底掺杂在100埃的所述背界面内变化到所述背层掺杂。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述衬底是以下材料中的一种或多种：硅、玻璃上的硅、蓝宝石上的硅、石英上的硅、金属上的硅、石墨上的硅、陶瓷上的硅、硅与锗的化合物、冶金级硅、太阳能级硅、锗、玻璃上的锗、蓝宝石上的锗、石英上的锗、金属上的锗、石墨上的锗、陶瓷上的锗、玻璃、金属、陶瓷、石墨和塑料。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述前面掺杂晶体半导体层是以下材料中的一种或多种：硅、锗、硅与锗的化合物，及硅与碳的化合物。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述背面掺杂晶体半导体层是以下材料中的一种或多种：硅、锗、硅与锗的化合物，及硅与碳的化合物。

13.如权利要求9所述的结构，还包括在所述背面掺杂晶体半导体层的与所述背界面相对的底侧上的背接触电极，以及在所述前面掺杂晶体半导体层的与所述前界面相对的顶侧上的前触点。

14.如权利要求13所述的半导体结构，还包括位于所述前面掺杂晶体半导体层上的前钝化层。

15.如权利要求14所述的半导体结构，还包括位于所述前钝化层之上的抗反射涂层。

16.如权利要求13所述的半导体结构，还包括位于所述背面掺杂晶体半导体层上的反射涂层。

17.如权利要求13所述的半导体结构，其中，所述背接触电极是图形化的。

18.如权利要求17所述的半导体结构，其中，背钝化层驻留在所述背面掺杂晶体半导体层上，而且所述背接触电极穿过所述背钝化层，与所述背面掺杂晶体半导体层电接触。

19.如权利要求18所述的半导体结构，其中，所述背接触电极背反射光。

20.如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述前面掺杂晶体半导体层是以下之一：单晶层和多晶层。

21.如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述背面掺杂晶体半导体层是以下之一：单晶层和多晶层。

22.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掺杂晶体半导体层的粒度大于1微米。