[发明专利]多晶金刚石无效
| 申请号: | 201080024366.2 | 申请日: | 2010-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN102712544A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | K·奈多;T·沙巴拉拉 | 申请(专利权)人: | 六号元素磨料股份有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/52 | 分类号: | C04B35/52;C04B35/645;C04B35/628;C03B29/04;E21B10/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
| 地址: | 卢森堡*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 金刚石 | ||
1.多晶金刚石(PCD)材料,其包含至少88体积%且至多99体积%金刚石晶粒,平均金刚石晶粒的接触率大于60%。
2.如权利要求1所述的PCD材料,金刚石晶粒接触率为最多80%。
3.如权利要求1或权利要求2所述的PCD材料,金刚石晶粒接触率的标准偏差为最多4%接触率。
4.如前述任一权利要求所述的PCD材料,该材料具有至少0.5mm2的体积。
5.如前述任一权利要求所述的PCD材料,金刚石晶粒具有这样的尺寸分布特征:至少50%晶粒具有大于5微米的平均尺寸。
6.如前述任一权利要求所述的PCD材料,包含具有多模态尺寸分布的金刚石晶粒。
7.如前述任一权利要求所述的PCD材料,包含具有至多15微米的平均尺寸的金刚石晶粒。
8.如前述任一权利要求所述的PCD材料,具有至多1.5微米的平均间隙平均自由程。
9.如前述任一权利要求所述的PCD材料,其中间隙平均自由程的标准偏差在0.05微米至1.5微米的范围内。
10.如前述任一权利要求所述的PCD材料,具有至少0.5微米且至多4微米的平均间隙ECD尺寸。
11.如前述任一权利要求所述的PCD材料,包括填料材料,该填料材料包含式为MxM′y Cz的三元碳化物,M为选自过渡金属和稀土金属的至少一种元素;M′为选自Al,Ga,In,Ge,Sn,Pb,Tl,Mg,Zn和Cd的元素;x在2.5至5.0范围内;y在0.5至3.0范围内;和z在0.1至1.2范围内。
12.如权利要求11所述的PCD材料,其中M选自Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Pd、Pt、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Ce、Y、La和Sc。
13.如前述任一权利要求所述的PCD材料,具有至少800℃的氧化起始温度。
14.如前述任一权利要求所述的PCD材料,具有邻近表面的区域和远离表面的区域,该邻近表面的区域包含至多2体积%的用于金刚石的催化剂材料,该远离表面的区域包含超过2体积%的用于金刚石的催化剂材料。
15.插入件,包含如前述任一权利要求所述的PCD材料,该PCD材料接合于烧结碳化物基材,该插入件用于钻地的钻头。
16.制备如权利要求1-14任一所述的PCD材料的方法,该方法包括:在对于使催化剂材料熔融的足够高的温度下,在用于金刚石的金属催化剂材料的存在下,使金刚石晶粒聚集体在大于6.0GPa的压力下经受压力处理,和烧结金刚石晶粒以形成PCD材料;聚集体中的金刚石晶粒具有这样的尺寸分布特征:至少50%的晶粒具有大于5微米的平均尺寸,和至少20%晶粒具有在10-15微米范围内的平均尺寸。
17.如权利要求16中所述的方法,包括使PCD材料在至少2GPa的压力下经受进一步压力处理。
18.如权利要求16或17中所述的方法,包括从PCD材料的金刚石晶粒之间的间隙中去除用于金刚石的金属催化剂材料。
19.如权利要求16至18中任一所述方法,包括使PCD材料在至少500℃的温度下经受热处理至少5分钟。
20.如权利要求16至19中任一所述方法,包括将添加剂材料引入聚集体中,添加剂材料包含选自V、Ti、Mo、Zr、W、Ta、Hf、Si、Sn或Al中的至少一种元素。
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