[发明专利]清洁方法、曝光方法及器件制造方法无效

专利信息
申请号: 201080021725.9 申请日: 2010-05-19
公开(公告)号: CN102428409A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 渡边俊二 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;B08B3/12;G02B27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 清洁 方法 曝光 器件 制造
【说明书】:

技术领域

本发明涉及透过液体使基板曝光时使用的与该液体接触的器件的清洁方法。进而,本发明涉及透过液体使基板曝光的曝光方法及器件制造方法。

本申请根据2009年5月21日申请的美国专利临时申请No.61/213263、及2010年5月17日申请的美国专利申请NO.12/781211要求优先权,将其内容援引于此。

背景技术

在例如半导体器件和液晶显示器件的微器件的制造过程时的光刻工艺中,将通过用曝光用光对掩模进行照射而在掩模上形成的图案投影并曝光于感光基板上。与近年来增加微器件的高密度相对应,已经要求使光刻工艺中在基板上形成的图案实质上的微细化。作为用于实现这样的图案的微细化的一种手段,已提出专利文献1中所公开的其中用液体填充位于投影光学系统与基板之间的曝光用光的光路空间并透过液体使基板曝光的液体浸渍方法。

[专利文献1]:PCT国际公开No.WO 99/49504

发明内容

在使用液体浸渍方法进行曝光的情况下,异物附着于用于供应液体的与液体接触的构件例如喷嘴构件时,存在这些构件可能不能维持所期望的性能的可能性。此外,与液体接触的构件受到污染时,存在液体可能由于接触构件而受到污染的可能性。受到污染的液体填充曝光用光的光路空间时,掩模图案图像劣化,并由此得不到所期望的曝光精度。

本发明的一些方面的目的在于提供与液体接触的构件的清洁方法。此外,其另一目的在于提供能透过液体以高精度进行曝光处理的曝光方法、及器件制造方法。

根据本发明的第一方面,提供透过液体使基板曝光时所使用的与该液体接触的构件之的清洁方法,该方法包括:用碱溶液清洁构件以及之后用包括过氧化氢的溶液清洁该构件。

根据本发明的第二方面,提供包括以下的曝光方法:通过透过液体对基板照射曝光用光而使基板曝光;以及通过使用根据第一方面的清洁方法将与该液体接触的构件进行清洁。

根据本发明的第三方面,提供使用根据第二方面的曝光方法的器件制造方法。

根据本发明的一些方面,使在液体浸渍曝光方法中与液体接触的构件构成为使得将附着于构件的表面的污染物除去,并由此可维持该构件的所期望的性能。此外,可防止与该构件接触的该液体受到污染,结果,可防止掩模图案图像劣化,并维持所期望的曝光精度。

附图说明

图1为根据实施方式的曝光装置的示意构成图。

图2为根据实施方式的曝光装置的部分放大视图。

图3为显示根据实施方式的维修保养机构的图。

图4为显示根据实施方式的维修保养机构的使用状态的概念图。

图5为显示根据实施方式的曝光方法的流程图。

图6为显示根据实施方式的器件制造方法的流程图。

图7为显示根据实施例的清洁测试的结果的图表。

符号的说明

1:液体浸渍机构

10:液体供应机构

12:供应口

20:液体回收机构

22:回收口

25:多孔构件

30:维修保养机构

31:容器

37:超声波振动子

70:喷嘴构件

140:支承机构

EL:曝光用光

EX:曝光装置

K1:光路空间

LK:清洁溶液

LQ:液体

LS1:第1光学元件

P:基板

PL:投影光学系统

具体实施方式

本发明的实施方式涉及通过液体使基板曝光时所使用的与该液体接触的构件的清洁方法、包括该清洁方法的曝光方法及器件制造方法。

首先,将参照图1及图2说明本实施方式中待清洁的构件。图1为液体浸渍曝光装置EX的示意构成图,图2为示出投影光学系统PL的图像面侧的前端的附近的放大视图。图1及图2中,曝光装置EX包括:能移动、同时保持掩模M的掩模载台MST;能移动、同时保持基板P的基板载台PST;用曝光用光EL照射在掩模载台MST上保持的掩模M的照射光学系统IL;将用曝光用光EL照射的掩模M的图案图像投影至在基板载台PST上保持的基板P的投影光学系统PL;及将曝光装置EX的整体操作总体进行控制的控制装置CONT。此曝光装置EX采用其中在曝光时使基板载台PST与掩模载台MST相对曝光用光EL同步在扫描方向(X方向)移动的步进扫描方式。

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