[发明专利]用于生产光伏薄膜模块的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201080021379.4 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN102422420A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 赫尔曼·瓦格纳 申请(专利权)人: 肖特太阳能股份公司
主分类号: H01L27/142 分类号: H01L27/142
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;刘华联
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 生产 薄膜 模块 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于生产光伏薄膜模块(1)的方法,所述模块(1)具有其上沉积了作为功能层的透明前电极层(3)、半导体层(4)和后电极层(5)的基底(2),所述功能层设有用于形成串联的电池(C1,C2,C3)的电池分界线(6,7,8),其中在所述模块(1)的边缘区域(10)中使用激光器(23)对所述功能层(3-5)进行烧蚀,并且在所述功能层(3-5)中在功能层(3-5)的边缘区域中形成绝缘分界线(13)以用于所述前电极层(3)和后电极层(5)之间的绝缘,其中使用激光器(24)来在所述前电极层(3)中形成分界线(17),使用激光器(25)来在所述半导体层(4)和后电极层(5)之间形成分界线(18,19),

其特征在于,在一项步骤中一起进行对所述模块(1)的边缘区域(10)中的功能层(3-5)的烧蚀和所述绝缘分界线(13)的成形。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用具有红外线范围内波长的掺钕或掺钇固态激光器(23,24)来在所述模块(1)的边缘区域(10)中烧蚀功能层(3-5)和/或在所述前电极层(3)的边缘区域中形成分界线(17)。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用三次倍频的掺钕或掺钇固态激光器(24)来在所述前电极层(3)的边缘区域中形成分界线(17)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,使用二次倍频的掺钕或掺钇固态激光器(25)来在所述半导体层(4)和后电极层(5)的边缘区域中形成分界线(18,19)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,使用脉冲激光器(23,24,25)来在所述模块(1)的边缘区域(10)中烧蚀功能层(3-5)和/或在所述前电极层(3)的边缘区域中和/或在所述半导体层(4)和后电极层(5)的边缘区域中形成分界线(17,18,19)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,通过双轴电流式激光扫描器(36)来进行在所述模块(1)的边缘区域(10)中的功能层(3-5)的烧蚀。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,使用透明基底(2),并且用于在所述模块(1)的边缘区域(10)中烧蚀功能层(3-5)和用于在所述功能层(3-5)中形成绝缘分界线(13)的激光束(14-16)穿过所述基底(2)聚焦在所述功能层(3-5)上。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,为了在所述功能层(3-5)的边缘区域中形成绝缘分界线(13),用于在所述半导体层(4)和后电极层(5)中形成分界线(18,19)的激光器(25)的激光束(15)先于用于在所述前电极层(3)中形成分界线(17)的激光器(24)的激光束(16)。

9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,通过一个置于另一个之后的重叠激光焦点(21)来在所述半导体层(4)和后电极层(5)的边缘区域中形成分界线(18,19)。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述后电极层(5)中的激光焦点(21)的重叠排列使得在所述后电极层(5)的分界线(19)中不会形成因入射激光束(15)的逸出而导致所述半导体层(4)的半导体材料会经其蒸发的孔。

11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,通过一个置于另一个之后的重叠激光焦点(22)的单个轨道来在所述半导体层(4)和后电极层(5)中形成分界线(17,18)。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述半导体层(4)和后电极层(5)的边缘区域中的分界线(18,19)的宽度大于所述前电极层(3)的边缘区域中的分界线(17)的宽度。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述半导体层(4)和后电极层(5)的边缘区域中的分界线(18,19)的宽度为80-150μm,并且所述前电极层(3)的边缘区域中的分界线(17)的宽度为20-60μm。

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