[发明专利]用于PVD腔室的溅射靶材

权利要求书

1.一种溅射设备，包括：

腔室，该腔室具有界定处理区域的壁，该处理区域包括基板支撑件；

靶材，该靶材与所述基板支撑件相间隔；及

功率源，该功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料，所述靶材具有界定可溅射靶材表面的正面，该可溅射靶材表面延伸于所述靶材的周围边缘之间，且该可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状。

2.如权利要求1所述的设备，其中该整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述斜面区的倾斜角度在约5至30度范围中，以致所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述斜面区的角度在约7至13度范围中。

5.如权利要求3所述的设备，其中所述斜面区延伸至所述周围边缘。

6.如权利要求3所述的设备，其中所述斜面区延伸至外周围正面区。

7.如权利要求4所述的设备，其中所述靶材周围边缘界定靶材直径R_p，而所述中心区具有直径R_c，且所述中心区直径使得R_c/R_p比例为自0％至约90％。

8.如权利要求7所述的设备，其中所述R_c/R_p比例为至少约60％且小于约90％。

9.一种用于溅射腔室的靶材组件，该靶材包括界定可溅射靶材表面的正面，该可溅射靶材表面延伸于周围边缘之间，且该可溅射靶材表面界定实质上在该等周围边缘之间的整体凹面形状。

10.如权利要求9所述的靶材组件，其中该整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定。

11.如权利要求10所述的靶材组件，其中所述斜面区的倾斜角度在约5至20度范围中，以致所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度。

12.如权利要求11所述的靶材组件，其中所述斜面区的角度在约7至13度范围中。

13.如权利要求11所述的靶材组件，其中所述靶材周围边缘界定靶材直径R_p，而所述中心区具有直径R_c，且所述中心区直径使得R_c/R_p比例为至少约50％且小于约90％。

14.如权利要求13所述的靶材组件，其中所述R_c/R_p比例为至少约60％且小于约90％。

15.如权利要求9所述的靶材组件，其中所述靶材接合至背板。