[发明专利]具有经掺杂的含硅盖层的金氧半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用来形成半导体器件(10、100)的方法，其中，该半导体器件包括半导体衬底(14、110)，该方法包括下列步骤：

形成高k介电层(24、140)以覆盖该半导体衬底；

形成含金属栅极层(48、166)以覆盖该高k介电层；

形成经掺杂的含硅盖层(52、170)以覆盖该含金属栅极层；以及

沉积含硅栅极层(60、178)以覆盖该经掺杂的含硅盖层。

2.如权利要求1所述的方法，还包括形成硅化物形成用金属盖层(56、174)在该经掺杂的含硅盖层(52、170)与该含硅栅极层(60、178)之间的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成硅化物形成用金属盖层(56、174)的该步骤包括：形成包括选择自由Ni、Pt、Co、Ti、和它们的组合所组成的群组中的金属的硅化物形成用金属盖层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成硅化物形成用金属盖层(56、174)的该步骤包括：形成包括NiPt的硅化物形成用金属盖层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成包括NiPt的硅化物形成用金属盖层(56、174)的该步骤包括：形成具有从大约5原子百分比(atomic％)至大约15原子百分比的Pt浓度的硅化物形成用金属盖层。

6.如权利要求1所述的方法，还包括下列步骤：

在形成高k介电层(24、140)的该步骤之前，先形成栅极绝缘层(22、138)以覆盖该半导体衬底(14、110)；以及

在该栅极绝缘层与该半导体衬底之间形成沟道层(18、134)，该沟道层包括由受压缩应力的单晶层和受拉张应力的单晶层所组成的群组中的其中一个。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成经掺杂的含硅盖层(52、170)的该步骤包括：形成于原位经掺杂的含硅盖层。

8.如权利要求1所述的方法，其中，形成经掺杂的含硅盖层(52、170)的该步骤包括：形成包括选择自由B、As、P、和Sb所组成的群组中的掺杂元素的经掺杂的含硅盖层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成经掺杂的含硅盖层(52、170)的该步骤包括：形成包括具有从大约1.0×10¹⁹原子/cm³至大约1.0×10²⁰原子/cm³的浓度的掺杂元素的含硅盖层。

10.如权利要求1所述的方法，还包括形成被插置在该高k介电层(24、140)与该含金属栅极层(48、166)之间的金属氧化物栅极盖层(44、162)的步骤。