[发明专利]氟气生成装置无效

专利信息
申请号: 201080014703.X 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN102369314A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 毛利勇;八尾章史;宫崎达夫 申请(专利权)人: 中央硝子株式会社
主分类号: C25B15/08 分类号: C25B15/08;C25B1/24;C25B9/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氟气 生成 装置
【权利要求书】:

1.一种氟气生成装置,其通过电解熔融盐中的氟化氢来生成氟气,其中,

该氟气生成装置包括:

电解槽,其存储有熔融盐,在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室,该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体,该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体;

原料供给通路,其与上述电解槽相连接,用于向熔融盐中引导氟化氢;

载气供给通路,其与上述原料供给通路相连接,且用于将载气引导到上述原料供给通路中,该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中,

作为载气,使用在上述电解槽的上述阳极处生成的氟气或者在上述阴极处生成的氢气。

2.根据权利要求1所述的氟气生成装置,其中,

该氟气生成装置包括:

第1主通路,其与上述第1气室相连接,且用于将在上述电解槽的上述阳极处生成的氟气供给到外部装置;

第1缓冲罐,其设在上述第1主通路上,且用于存储氟气;

分支通路,其与上述第1缓冲罐相连接;

压力调整阀,其设在上述分支通路上,且用于控制上述第1缓冲罐的内部压力;

第2缓冲罐,其用于存储经由上述压力调整阀而从上述第1缓冲罐排出的氟气,

在使用氟气作为载气的情况下,使用存储在上述第1缓冲罐或者上述第2缓冲罐中的氟气作为载气。

3.根据权利要求1所述的氟气生成装置,其中,

该氟气生成装置包括:

第2主通路,其与上述第2气室相连接,且用于引导在上述电解槽的上述阴极处生成的氢气;

缓冲罐,其设在上述第2主通路上,且用于存储氢气,

在使用氢气作为载气的情况下,使用存储在上述缓冲罐中的氢气作为载气。

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