[发明专利]高频模块有效
| 申请号: | 201080007077.1 | 申请日: | 2010-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN102308435A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 内村弘志;平松信树;早田和树 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08;H01L23/12;H01P5/107;H01Q13/10;H01Q23/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频 模块 | ||
1.一种高频模块,具备:
高频电路,其具有用于高频信号的输入和输出两者中的至少一者的信号端子、和连接于基准电位的至少一个基准电位端子;
导体,其具有槽;
第1导线,其连接于所述信号端子,且一部分跨过所述槽的上方;和
第2导线,其连接于所述基准电位端子,至少一部分沿着第1导线(41)进行配置,且设置为不跨过所述槽的上方,
所述第1导线和所述第2导线形成对,来与所述槽电磁耦合。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述第1导线具有电连接于所述导体的第1连接部,
所述至少一条第2导线具有连接于所述导体的第2连接部。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
在俯视观察下,连结所述第1连接部和所述第2连接部的线段跨过所述槽。
4.根据权利要求2或3所述的高频模块,其特征在于,
所述第2连接部位于所述导体中的比所述槽的长边方向的两端更靠内侧的区域。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述槽的阻抗,与由所述第1连接部和所述第2连接部形成的对的阻抗匹配。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述第1导线以及所述第2导线分别与所述导体接触。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述第1导线沿着所述槽的电场方向跨过所述槽。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述至少一个基准电位端子与所述信号端子相邻地进行配置,
在俯视观察下,所述至少一条第2导线沿着所述第1导线延伸。
9.根据权利要求8所述的高频模块,其特征在于,
所述至少一个基准电位端子具有两个基准电位端子,所述信号端子位于所述两个基准电位端子之间,
所述至少一条第2导线具有两条第2导线,所述两条第2导线分别与所述两个基准电位端子的每一个连接。
10.根据权利要求9所述的高频模块,其特征在于,
所述两条第2导线的间隔随着接近所述槽而变窄。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述高频模块还具备保护构件,该保护构件覆盖所述信号端子、所述至少一个基准信号端子、所述槽、所述第1导线、以及所述至少一条第2导线中的每一个的至少上方。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的高频模块,其特征在于,
将所述高频电路经由所述槽与传输所述高频信号的信号线路连接。
13.根据权利要求1~11中任一项所述的高频模块,其特征在于,
将所述高频电路经由所述槽与波导管电磁耦合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080007077.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





