[发明专利]气体传感器的制造方法及气体传感器无效

专利信息
申请号: 201080003798.5 申请日: 2010-02-22
公开(公告)号: CN102265148A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 加藤秀和;田口政孝;藤田康弘;渥美尚胜 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: G01N27/409 分类号: G01N27/409
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 气体 传感器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种气体传感器的制造方法,所述气体传感器包括:传感元件,其沿所述气体传感器的轴线方向延伸并且其前端部具有检测被测量气体的感测部;金属壳,其具有包围所述传感元件的外周的筒部,所述传感元件的前端部和后端部被暴露到所述金属壳的外部;以及筒状的外壳,其以包围所述传感元件的后端部的方式被固定到所述金属壳,所述制造方法包括:

外壳放置步骤,用于以如下方式将所述外壳放置于所述金属壳:所述外壳的前端部包围所述金属壳的筒部;以及

熔接步骤,用于在所述外壳的前端部与所述金属壳的筒部之间的重叠区的全周进行激光熔接操作,由此形成横跨所述外壳的前端部与所述金属壳的筒部之间的边界的熔接区,

其中,在所述熔接步骤中,在沿所述气体传感器的轴线方向相互错开的位置处多次进行所述激光熔接操作。

2.根据权利要求1所述的气体传感器的制造方法,其特征在于,在所述熔接步骤中以下述方式多次进行所述激光熔接操作以形成多个熔接区:相邻的两个熔接区具有位于所述金属壳的筒部并且部分地彼此重叠的内侧熔接区域。

3.根据权利要求1或2所述的气体传感器的制造方法,其特征在于,在所述熔接步骤中通过使所述激光熔接操作的位置从所述重叠区的前侧向后侧错位而多次进行所述激光熔接操作。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体传感器的制造方法,其特征在于,以下述方式执行所述熔接步骤以由第一激光熔接操作形成第一熔接区并由第二或后续的激光熔接操作形成第二熔接区:所述第二熔接区的深度大于所述第一熔接区的深度。

5.一种气体传感器,包括:

传感元件,其沿所述气体传感器的轴线方向延伸并且其前端部具有检测被测量气体的感测部;

金属壳,其具有包围所述传感元件的外周的筒部,所述传感元件的前端部和后端部被暴露到所述金属壳的外部;

筒状的外壳,其以包围所述传感元件的后端部的方式被固定到所述金属壳;以及

多个熔接区,各熔接区均形成为在所述外壳的前端部与所述金属壳的筒部之间的重叠区的全周横跨所述外壳的前端部与所述金属壳的筒部之间的边界并且沿所述气体传感器的轴线方向相互错位。

6.根据权利要求5所述的气体传感器,其特征在于,相邻的两个熔接区以下述方式部分地彼此重叠:当在沿着所述轴线的截面中观察时,相邻的两个熔接区中的后熔接区部分地覆盖所述相邻的两个熔接区中的前熔接区。

7.根据权利要求6所述的气体传感器,其特征在于,所述相邻的两个熔接区中的后熔接区的深度大于所述相邻的两个熔接区中的前熔接区的深度。

8.根据权利要求5所述的气体传感器,其特征在于,相邻的两个熔接区具有位于所述金属壳的筒部并且部分地彼此重叠的内侧熔接区域。

9.根据权利要求5所述的气体传感器,其特征在于,所述熔接区包括第一熔接区以及部分地覆盖所述第一熔接区的第二熔接区,并且所述第二熔接区的深度大于所述第一熔接区的深度。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的气体传感器,其特征在于,所述熔接区延伸到不超过所述金属壳的筒部的厚度的一半的部位。

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