[实用新型]电容式射频导纳物位变送器无效
| 申请号: | 201020647763.2 | 申请日: | 2010-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN201974212U | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 王鑫;杨振荣 | 申请(专利权)人: | 上海自动化仪表股份有限公司 |
| 主分类号: | G01F23/26 | 分类号: | G01F23/26 |
| 代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
| 地址: | 200233*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容 射频 导纳 变送器 | ||
1.一种电容式射频导纳物位变送器,其特征在于,包括采样电路、HART通讯接口/显示接口、MCU控制单元、人机接口,采样电路依次由高频驱动、电容检测、挂料分离、采样保持几个模块组成,采样电路对被测对象进行检测,将测量的电容值处理后送入MCU控制单元;MCU控制单元接收人机接口来的指令,同时对采样电路接收来的信号处理后送HART通讯接口/显示接口,将标准信号送出和显示数据。
2.根据权利要求1所述电容式射频导纳物位变送器,其特征在于,所述高频驱动电路产生一个高频正弦激励信号,正弦信号通过带通滤波器对方波信号整形滤波得到,最后通过驱动电路得到符合设计的激励信号,激励信号加载在电容检测的电容传感器上。
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