[实用新型]一种石英舟无效
| 申请号: | 201020611626.3 | 申请日: | 2010-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN201868402U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 姚琪;刘鹏;欧阳辉 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 纪元 |
| 地址: | 313008 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种载具,尤其涉及一种石英舟。
背景技术
扩散是太阳能硅电池片生产过程中关键的一步工序,扩散工艺通常采用扩散炉来完成,石英舟是一种在扩散炉中用来固定硅电池片的夹具,其尺寸规格必须与相应的扩散炉内的安装架相配套,而由于设备制造商技术的不断改进,不同设备制造商技术发展的不均衡性,扩散车间内往往会购入不同型号的扩散炉,尤为可能的是同时安装有国内和国外生产的扩散炉,不同型号的扩散炉导致需要准备多种型号的石英舟,使得生产安排极为麻烦。
最常用的扩散炉设置有如下两种石英舟安装架:1、石英长舟,为两根间距固定、相互平行的石英杆状物,石英舟的舟座从外侧卡于石英长舟上;2、SiC桨,为一U形SiC制成的架子,石英舟的舟座从外侧卡于SiC上。
实用新型内容
本实用新型为解决现有技术问题,提供一种便于使用的石英舟。
本实用新型的技术方案是: 一种石英舟,包括舟体,舟体下方设置有舟架,所述舟体包括横架和纵杆,所述纵杆固定设置于横架壁,且与横架相互垂直;所述横架下方设置有舟座,所述舟座有两个,且之间的距离小于舟架的宽度。
移动舟座的位置,使得舟座恰好能从内侧卡于石英长舟,并能从外侧卡于SiC桨上,生产时只需要使用一种石英舟,即可适用于多种规格的扩散炉;且本实用新型不改变石英舟的材质等其他特性,方块电阻对比及效率均优于原石英舟。
作为优选,所述纵杆设置于横架的内侧壁。
作为优选,所述纵杆设置于横架的外侧壁。
作为优选,所述纵杆上开有凹槽。
作为优选,所述凹槽有多个,相邻凹槽之间的距离为3~6MM。
作为优选,所述凹槽的深度方向与纵杆的中心轴线之间的角度为1~6度。
作为优选,所述纵杆长度小于1080MM。
作为优选,所述两个舟座之间的距离为100~120MM。
综上所述,本实用新型具有以下优点:
1、可适用多种不同扩散炉内的石英舟架,便于生产;
2、方块电阻对比和效率较高。
附图说明
图1为本实用新型实施例一结构侧视图;
图2为本实用新型实施例一结构俯视图;
图3为本实用新型安装于石英长舟示意图;
图4为本实用新型安装于SiC桨示意图。
图中,1、横架,2、纵杆,3、舟座,4、石英长舟,5、SiC桨,6、凹槽。
具体实施方式
下面结合附图以实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例一:
一种石英舟,如图1、2所示,包括舟体,舟体下方设置有舟架,舟体包括横架1和纵杆2,纵杆2固定设置于横架1内侧壁,且与横架1相互垂直;横架1下方设置有舟座3,舟座3有两个,纵杆2上开有多个凹槽6,相邻凹槽6之间的距离为3MM,凹槽6与纵杆2之间的角度为1度,纵杆2长度为1070MM,两个舟座3之间的距离为100MM,石英舟整体宽度185MM。
如图3所示,石英舟放置于石英长舟4上。
如图4所示,石英舟放置于SiC桨5上。
实施例二:
一种石英舟,如图1、2所示,包括舟体,舟体下方设置有舟架,舟体包括横架1和纵杆2,纵杆2固定设置于横架1外侧壁,且与横架1相互垂直;横架1下方设置有舟座3,舟座3有两个,纵杆2上开有多个凹槽6,相邻凹槽6之间的距离为6MM,凹槽6与纵杆2之间的角度为6度,纵杆2长度为1000MM,两个舟座3之间的距离为120MM,石英舟整体宽度185MM。
实施例三:
一种石英舟,如图1、2所示,包括舟体,舟体下方设置有舟架,舟体包括横架1和纵杆2,纵杆2固定设置于横架1外侧壁,且与横架1相互垂直;横架1下方设置有舟座3,舟座3有两个,纵杆2上开有多个凹槽6,相邻凹槽6之间的距离为4.8MM,凹槽6与纵杆2之间的角度为3度,纵杆2长度为1000MM,两个舟座3之间的距离为110MM,石英舟整体宽度185MM。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





