[实用新型]有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统有效

专利信息
申请号: 201020558222.2 申请日: 2010-10-12
公开(公告)号: CN201864575U 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 杨建松;郑安雄;陈德伟 申请(专利权)人: 浙江中宁硅业有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 324000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 有效 提高 硅烷 多晶 硅硅棒 生长 速度 系统
【权利要求书】:

1.一种有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统,其特征在于包括混合气体预热器(1)、还原炉(2)、出口尾气冷却器(3)、出口尾气过滤器(4)、压缩机冷却器(5)、压缩机进口过滤器(6)、压缩机(7)、分离系统(8)、三通阀(9)、返回气体管线(10),混合气体预热器(1)一端、还原炉(2)、出口尾气冷却器(3)、出口尾气过滤器(4)、压缩机冷却器(5)、压缩机进口过滤器(6)、压缩机(7)、三通阀(9)、分离系统(8)一端顺次相连,三通阀(9)与返回气体管线(10)一端相连,离系统(8)另一端与混合气体预热器(1)另一端和返回气体管线(10)另一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统,其特征在于在所述的离系统(8)另一端与混合气体预热器(1)另一端和返回气体管线(10)另一端之间设有氢气流量计(F1)、硅烷流量计(F2)和分析系统(S2),在出口尾气过滤器(4)与压缩机冷却器(5)之间设有分析系统(S1),在三通阀(9)与返回气体管线(10)之间设有返回气体流量计(F3)。

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