[实用新型]超高频RFID读写器模块有效
| 申请号： | 201020242143.0 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201707686U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 代小青;陈文明;赖远桥 | 申请（专利权）人： | 深圳市远望谷信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K17/00 | 分类号： | G06K17/00;H04B1/40 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 518057 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高频 rfid 读写 模块 | ||
1.一种超高频RFID读写器模块，具有微波射频电路、基带处理电路和天线，供电电路为微波射频电路、基带处理电路供电，其特征在于：所述微波射频电路、基带处理电路与手机通过接口电路(U3)连接；所述微波射频电路、基带处理电路和天线设置在一块印刷电路板上。
2.根据权利要求1所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述微波射频电路由发射电路和接收电路构成。
3.根据权利要求2所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述发射电路由RFID芯片(U200)外接晶体振荡器(X200)构成载波合成电路，载波合成电路经第1平衡到不平衡转换器(W201)、方向性耦合器(W202)接天线连接器。
4.根据权利要求2所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述接收电路的天线接收的信号经方向性耦合器(W202)、第2平衡到不平衡转换器(W200)至RFID芯片(U200)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述基带处理电路设有单片机(MCU)。
6.根据权利要求5所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述供电电路的稳压芯片(U1)为单片机(MCU)提供3V工作电压，升压芯片(U4)为RFID芯片提供5V工作电压。
7.根据权利要求6所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述RFID芯片(U200)采用AS3990，晶体振荡器(X200)采用S5032-20MHZ，第1平衡到不平衡转换器(W201)采用HHM1522E1，方向性耦合器(W202)采用RCP890Q10，第2平衡到不平衡转换器(W200)采用HHM1522E1，单片机采用C8051F930-920，稳压芯片(U1)采用XC6209FP302，升压芯片(U4)采用XC9119D10AM，接口电路(U3)采用SN74LVC1G08DBV。
8.根据权利要求7所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述超高频RFID读写器模块的工作频段为860MHz～960MHz。
9.根据权利要求8所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述天线由高由高介电常数的陶瓷材料组成，天线体积不超过10mm×3mm×1mm。
10.根据权利要求9所述的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述超高频RFID读写器模块的体积不超过31mm×27.5mm×5mm。
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