[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010617447.5 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102543746A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/32;H01L29/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供第一半导体层，并在该第一半导体层中形成第一STI；
在第一半导体层上确定选定区域，使该选定区域内第一半导体层下凹；
在所述选定区域中，在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第二半导体层后，还包括：在第二半导体层中，形成第二STI，使得第一STI和第二STI相连，且在所述第一STI和所述第二STI的交界面上，所述第一STI和所述第二STI重合。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，在第一半导体层上确定选定区域，使该选定区域内第一半导体层下凹的步骤包括：
在第一半导体层上形成掩膜层；
对掩膜层进行构图，使得暴露出选定区域；以及
将所述选定区域内暴露出的第一半导体层去除一定高度。
4.如权利要求3所述的方法，其中，在靠近所述第一半导体层的所述第二半导体层中存在位错时，各所述位错均终止于去除所述一定高度的第一半导体层后剩余的第一STI上。
5.如权利要求3所述的方法，其中，在外延生长第二半导体层之后、形成第二STI之前，或者在形成第二STI之后，该方法还包括：
进行平坦化，以使所述第一半导体层和所述第二半导体层形成连续平面。
6.如权利要求1所述的方法，其中，第一半导体层的材料包括Si，第二半导体层的材料包括Ge或III-V族化合物半导体。
7.一种半导体器件，包括：
第一半导体层；
在第一半导体层中形成的第一STI，其中，在选定区域内，第一半导体层下凹；
在选定区域中，在第一半导体层上的第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：第二STI，所述第二STI和所述第一STI相连，且在所述第一STI和所述第二STI的交界面上，所述第一STI和所述第二STI重合。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，在靠近所述第一半导体层的所述第二半导体层中存在位错，至少一个所述位错终止于所述第一STI侧壁上。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层形成连续平面。
11.如权利要求7所述的半导体器件，其中，第一半导体层的材料包括Si，第二半导体层的材料包括Ge或III-V族化合物半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
