[发明专利]半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN体的制作方法

权利要求书

1.一种精细图形的制作方法，其特征在于，包括：

在待加工材料的表面上形成牺牲层，对所述牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；

从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；

去除所述覆盖层；

以所述牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀所述待加工材料以形成待加工材料的精细图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对牺牲层进行粗加工并在牺牲层的表面上形成覆盖层包括：在所述牺牲层的表面上涂布一层预定大小的光刻胶，光刻和刻蚀所述牺牲层，所述光刻胶形成牺牲层的表面上的覆盖层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除覆盖层包括：使用干法或湿法去除所述光刻胶。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对牺牲层进行粗加工并在牺牲层的表面上形成覆盖层包括：

在所述牺牲层生长一层介质层；

在所述介质层上涂布一层预定大小的光刻胶；

光刻和刻蚀所述介质层和牺牲层，所述光刻胶和介质层形成牺牲层的表面上的覆盖层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层为氮化层；所述去除覆盖层包括：使用干法或湿法去除所述光刻胶；使用热磷酸去除所述介质层。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述待加工材料为体硅材料或绝缘体上硅材料，所述牺牲层为氧化层，所述从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行选择性腐蚀是指：使用缓冲的氧化硅腐蚀液，从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行腐蚀。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀待加工材料包括：使用干法刻蚀所述待加工材料。

8.一种鳍形场效应晶体管的FIN体的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底的表面上形成牺牲层，对所述牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；

从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；

去除覆盖层；

以腐蚀后的所述牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀所述半导体衬底以形成鳍形场效应晶体管的FIN体。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对牺牲层进行粗加工并在牺牲层的表面上形成覆盖层包括：在所述牺牲层的表面上涂布一层预定大小的光刻胶，光刻和刻蚀所述牺牲层，所述光刻胶形成牺牲层的表面上的覆盖层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对牺牲层进行粗加工并在牺牲层的表面上形成覆盖层包括：

在所述牺牲层生长一层介质层；

在所述介质层上涂布一层预定大小的光刻胶；

光刻和刻蚀所述介质层和牺牲层，所述光刻胶和介质层形成牺牲层的表面上的覆盖层。