[发明专利]基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器无效
| 申请号： | 201010609247.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102141576A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;石云波;唐军;赵锐;张贺 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P15/18 | 分类号： | G01P15/18;B81B3/00 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 14100 | 代理人： | 朱源;骆洋 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 rts mems 面内高 加速度 传感器 | ||
1.一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器，其特征在于：包括硅基框架（1）、支悬于硅基框架（1）内的质量块（2），质量块（2）一侧通过独立支撑梁（3）与硅基框架（1）固定，相对侧通过两平行设置的组合梁与硅基框架（1）固定，独立支撑梁（3）与组合梁平行，且独立支撑梁（3）沿质量块（2）中心线设置，两组合梁以质量块（2）中心线为对称轴对称设置；所述组合梁包含检测梁（5）、分别设置于检测梁（5）两端用以实现检测梁（5）与质量块（2）、硅基框架（1）固定的两连接梁（4），检测梁（5）上设有应变压敏元件（6），检测梁（5）的厚度及宽度小于连接梁（4）；独立支撑梁（3）、质量块（2）、及组合梁中的连接梁（4）为等厚设置；硅基框架（1）上设有两基准压敏元件（7），硅基框架（1）上的基准压敏元件（7）与检测梁（4）上的应变压敏元件（6）连接构成惠斯通半桥，所述基准压敏元件（7）与应变压敏元件（6）为共振隧穿结构RTS。
2.根据权利要求1所述的基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器，其特征在于：所述独立支撑梁（3）与质量块（2）固定的端部、独立支撑梁（3）与硅基框架（1）固定的端部、连接梁（4）与质量块（2）固定的端部、连接梁（4）与硅基框架（1）固定的端部、检测梁（5）与连接梁（4）固定的端部皆设置有倒角（9）。
3.根据权利要求1所述的基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器，其特征在于：硅基框架（1）在水平检测方向上正对的边框的内壁上分别设有限位块（8）。
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