[发明专利]采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010608050.X | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102130038A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;张峰;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 离子 注入 制备 绝缘体 材料 方法 | ||
1.一种采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供单晶硅衬底；
将氧离子注入至单晶硅衬底中，以在单晶硅衬底中形成富氧层，以及覆盖在富氧层表面的器件层；
对注入后的单晶硅衬底实施第一次退火，在含氧气氛中进行，使富氧层转变成绝缘埋层，并修复器件层中的注入损伤；
对注入后的单晶硅衬底实施第二次退火，亦在含氧气氛中进行，第二次退火气氛中氧浓度大于第一次退火气氛中的氧浓度，以增厚绝缘埋层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次退火的步骤中，温度范围是1000℃～1400℃，氧气的含量是0～20％(体积百分比)，退火的时间范围是1～20小时。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次退火的步骤中，温度范围是1000℃～1400℃，氧气的含量是10％～50％(体积百分比)，退火的时间范围是1～20小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入氧离子至单晶硅衬底的步骤采用单次注入工艺，注入剂量范围是5×1016cm-2～1×1018cm-2，注入能量范围是20keV～500keV，注入温度范围是100℃～800℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入氧离子至单晶硅衬底的步骤采用两次注入工艺：
第一次离子注入，注入能量范围是20keV～500keV，注入剂量范围是0.59×1017cm-2～9×1017cm-2，注入温度为100℃～800℃；
第二次离子注入，注入能量范围是20keV～500keV，注入剂量范围是1×1014cm-2～1×1016cm-2，注入在室温下进行。
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