[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010606342.X | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102544095A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 于伟泽;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管，包括：
半导体衬底；
所述半导体衬底上的金属前介质层，
所述金属前介质层中的栅极侧墙和栅极侧墙中的栅沟槽；
所述栅沟槽两侧的半导体衬底内的源区和漏区；
所述漏区具有LDD区，所述LDD区延伸至所述栅沟槽下方；
其特征在于，
所述栅沟槽内靠近源区的一侧具有栅极。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅极与漏区的LDD区交叠。
3.根据权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅沟槽内在栅极之外的空间填充有介质层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅极与栅极侧墙的形状相同。
5.根据权利要求1任一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅极的材料包括Ti、Al和Cu中的一种或至少两种的合金。
6.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；
去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；
在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；
以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。
7.根据权利要求6所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极包括以下步骤：
进行倾斜沉积，在栅沟槽外的半导体衬底表面和靠近所述源区的栅沟槽内一侧形成栅层；
反向刻蚀所述栅层，以形成栅极。
8.根据权利要求7所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，
所述栅层为金属材料，所述倾斜沉积采用PVD工艺。
9.根据权利要求8所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述倾斜沉积的束流与半导体衬底的夹角为45度。
10.根据权利要求6至9任一项所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区采用离子注入工艺。
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