[发明专利]宽探测波段的InGaAs红外探测器无效
| 申请号： | 201010604144.X | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102130200A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 缪国庆;金亿鑫;宋航;蒋红;黎大兵;李志明;孙晓娟;陈一仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/105;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探测 波段 ingaas 红外探测器 | ||
【权利要求书】：
1.宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征是，在n型InP衬底上依次生长3μm非故意掺杂的In0.82Ga0.18As作为i层、InP缓冲层、1μm掺Zn的InP外延层，形成pin探测器结构。
2.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征在于，所述生长3μm非故意掺杂的In0.82Ga0.18As的生长温度为520℃～550℃。
3.根据权利要求2所述的宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征在于，所述生长3μm非故意掺杂的In0.82Ga0.18As的生长温度为550℃。
4.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征在于，生长InP缓冲层的温度为420℃～450℃。
5.根据权利要求4所述的宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征在于，生长InP缓冲层的温度为430℃。？
6.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs红外探测器，其特征在于，生长1μm掺Zn的InP外延层之前，生长温度升至580℃恒温3-5分钟后进行生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
