[发明专利]一种晶片研磨托盘支承装置无效
| 申请号: | 201010603270.3 | 申请日: | 2010-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN102107392A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 王树林;张伟展;宋志鹏;周波;杨志杰;李辉 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
| 主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00 |
| 代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
| 地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 研磨 托盘 支承 装置 | ||
技术领域
本发明属于机械加工领域,特指一种新性能石英晶片研磨的支承装置,用于特定频率的晶片研磨,对确保晶片品质有很重要的作用。
背景技术
石英晶体是目前世界上用量最大的晶体材料,利用晶体本身具有的物理特性制造出的电子元器件,如石英晶体谐振器、晶体滤波器、石英晶体振荡器等等。因其在频率端的稳定性特征,作为频率基准或是作为频率源,在数字电路、电子产品及通讯设备领域均得到了广泛的应用。为顺应晶体产品制造时频率产生谐振的要求,对石英晶片的加工,特别是对其频率(厚度)的加工就成了一道必不可少的载体,因此研磨也就成为了晶片加工过程一个重要工序。
晶片研磨支承装置主要是用来研磨晶片的两面,以有效控制晶片的厚度,进而方便后续封装制作工艺的进行。一般而言,晶片研磨装置由上下研磨盘、游轮、内外齿轮等组成。晶片频率(及厚度)与晶片的使用范围有着密切的联系。现有的石英双面研磨常用机床有偏心式和游星式两种,其中游星式研磨机具有研磨效率高,工件合格率及表面质量精度好,因而,其使用最为广泛,适用于大批量生产高精度薄片工件,如石英晶体、硅锗半导体等电子元件,阎板、阀片、活塞环及陶瓷密封件等零件的双面精磨和抛光。《石英晶片的研磨》【压电晶体技术, 1995(2):41~44】中指出外界因素对石英晶片研磨产生影响主要有——研磨盘的压力大小,研磨液的浓度,砂子的选择。并且指出要采用有槽的研磨盘,既提高研磨效率,又提高研磨质量而且利于破碎晶片的排出,不易产生划痕碎片等。中国专利CN200710044058.6公布了一种改善晶片研磨不足偏厚的方法及装置,通过增加两个控制阀,改善了晶片研磨不足晶片厚度偏厚的问题,此装置在改善晶片质量的同时,提高了机器的成本。
目前,国内外常用游星研磨机,有二动作,三动作,四动作之分,按其使用工序和游轮尺寸来分有9B(s)、6B(s)、4B(s)、3B(s)等等,按照装取工件结构和工件运动轨迹分有B系列研磨机(如益阳产HD2M9B一5L、HD2M6B一5L)和S系列(HD2M9S一5L、HD2M4S一5L系列)两大类。9s系列游星研磨机,采用齿圈下降和抬升以后来装取工件,对中磨和精磨来说,s系列侧重于在磨盘加压来提高其研磨效率。在晶片生产过程中通过机械上下盘面的压力,是被加工件再研磨盘面中不断挤压并磨损,最终产生形变而达到最终的频率要求。但现有的机器即研磨托盘支撑装置,在实际应用中主要存在以下缺陷:
1. 现有的研磨托盘支撑装置下,机器加工频率(及加工厚度)有限;
2. 不能满足更高的要求加工精度有限,若需较高的加工精度,目前使用的9s机器不能满足;
针对第一个问题,为了改变机器的加工频率,要通过改变机器对晶片的压力来实现。针对第二个问题,要提高加工精度,必须改变研磨区对晶片研磨的方式。
发明内容
本发明的目的在于通过改变机床实际研磨区的大小,减小研磨压力的大小,解决了研磨晶片的频宽低的问题,同时被加工晶片的表面粗糙度也得到提高,提高了机床及的加工范围。
实现本发明的技术方案为:
此托盘装置由以下三个部分组成:外齿轮圈 、下研磨盘面、内齿轮圈、上研磨盘面。上研磨盘为一圆环平板,下研磨盘也为圆环平板,在下研磨盘面上有栅格状盘面刀口,盘面刀口为3-5条同心圆环刀口与32-40条径向刀口形成环形栅格状盘面刀口。内外齿轮分布在下研磨盘内外,又来带动游轮选装。在机器开动后,上研磨盘面与内齿轮圈为一整体,右下边传动轴带动旋转,上研磨盘在上边传动轴带动与下研磨盘做逆向运动。通过上下研磨盘面得接触来对晶片进行研磨,晶片在游轮的带动下进行运动。
本发明对上研磨盘与下研磨盘的外径的大小做了调整:直径为变为410-420mm。上研磨盘改为质量较轻十字架似的吊架,通过螺栓与上研磨盘联接,减轻上研磨盘质量保证晶片加工频率。研磨机下研磨盘面上的栅格改为环状栅格,有利于破碎晶片的排除,不易产生划痕可获得较好的研磨面。
先将游轮放在下研磨盘面上,保证游轮的齿与内、外齿轮圈相啮合,将晶片依次放入游轮的空隙中,降下研磨盘。开启砂泵开关,调整流量阀门使砂液能正常流出,转动流沙口,使速度流入每一片游轮,按启动开关。检查上下研磨盘面,游轮和晶片,排除异物一切正常,预磨10圈后加速到规定机速(500-550r/min),不可急加速。
通过实际研磨区的减小以及托盘大小的改变,从而改变晶片研磨过程中的压力来提高晶片加工频率。再者,改变了晶片研磨过程中刀片的切割方式,从而提高了加工精度。
本发明与现有的支承装置对比有如下优点:
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